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1. WO2018184843 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERBAUELEMENTE UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/184843
Veröffentlichungsdatum 11.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/057133
Internationales Anmeldedatum 21.03.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H01L 33/00 (2010.01)
H01L 33/50 (2010.01)
H01L 33/48 (2010.01)
CPC
H01L 2933/0016
H01L 2933/0033
H01L 2933/0041
H01L 2933/0058
H01L 33/0095
H01L 33/486
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • TÅNGRING, Ivar; DE
  • SCHLERETH, Thomas; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 234.904.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERBAUELEMENTE UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MULTIPLICITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1, 1`), - Aufbringen einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (2) auf den Hilfsträger (1, 1`) mit ihren Rückseite, - Aufbringen einer ersten Vergussmasse (8), so dass ein Halbleiterchipverbund entsteht, und - Trennen des Halbleiterchipverbunds jeweils zwischen zwei Halbleiterchips (2) mittels Sägen, wobei der Hilfsträger (1,1`) nicht durchtrennt wird, so dass zumindest auf Seitenflächen der Halbleiterchips (2) jeweils eine Schicht der ersten Vergussmasse (8) entsteht. Außerdem werden ein weiteres Verfahren und eine strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
(EN)
A method for producing a multiplicity of radiation-emitting semiconductor components comprising the following steps is specified: – providing an auxiliary carrier (1, 1`), – applying a multiplicity of radiation-emitting semiconductor chips (2) on the auxiliary carrier (1, 1`) by the rear side of said chips, – applying a first potting compound (8), thus giving rise to a semiconductor chip composite assembly, and – separating the semiconductor chip composite assembly in each case between two semiconductor chips (2) by means of sawing, wherein the auxiliary carrier (1, 1`) is not severed, with the result that in each case a layer of the first potting compound (8) arises at least on side surfaces of the semiconductor chips (2). In addition, a further method and a radiation-emitting semiconductor component are specified.
(FR)
L’invention concerne un procédé de fabrication d’une pluralité de composants semi-conducteurs émettant un rayonnement, consistant à obtenir un support auxiliaire (1, 1’), à appliquer une pluralité de puces semi-conductrices (2) sur le support auxiliaire (1, 1’), avec leur côté arrière, à appliquer une première matière de scellement (8) de sorte à former une liaison de puces semi-conductrices, et à séparer la liaison de puces semi-conductrices respectivement entre deux puces semi-conductrices (2) par sciage, le support auxiliaire (1, 1’) n’étant pas sectionné, de manière qu’une couche respective de la première matière de scellement (8) soit formée au moins sur les surfaces latérales des puces semi-conductrices (2). L'invention concerne également un procédé supplémentaire et un composant semi-conducteur émettant un rayonnement.
Auch veröffentlicht als
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