In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

1. WO2018184842 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2018/184842
Veröffentlichungsdatum 11.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/057126
Internationales Anmeldedatum 21.03.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0352
gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
H01L 33/38 (2010.01)
H01L 33/00 (2010.01)
H01L 31/0224 (2006.01)
H01L 31/0352 (2006.01)
H01L 33/40 (2010.01)
CPC
H01L 2933/0016
H01L 31/02245
H01L 31/035281
H01L 33/0025
H01L 33/0079
H01L 33/382
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • OTTO, Isabel; DE
  • LEIRER, Christian; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 198.904.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zum Erzeugen oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) auf einem Substrat (29); b) Ausbilden zumindest einer Ausnehmung (25), die sich durch den aktiven Bereich erstreckt; c) Ausbilden einer metallischen Verstärkungsschicht (3) auf der Halbleiterschichtenfolge mittels galvanischer Abscheidung, wobei die metallische Verstärkungsschicht die Halbleiterschichtenfolge vollständig bedeckt und die Ausnehmung zumindest teilweise füllt; und d) Entfernen des Substrats. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben.
(EN)
The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor chip, comprising the following steps: a) providing a sequence of semiconductor layers (2) having an active region (20) for generating or receiving radiation on a substrate (29); b) forming at least one recess (25) extending throught the active region; c) and forming a metal reinforcing layer (3) on the sequence of semiconductor layers by means of electrodeposition, the metal reinforcing layer completely covering the sequence of semiconductor layers and at least partially filling the recess; and d) removing the substrate. The invention also relates to an optoelectronic semiconductor chip (1).
(FR)
L'invention concerne un procédé servant à fabriquer une puce semi-conductrice optoélectronique. Le procédé comprend les étapes consistant à : a) fournir sur un substrat (29) une succession (2) de couches semi-conductrices comprenant une zone (20) active prévue pour générer ou pour recevoir un rayonnement ; b) réaliser au moins un évidement (25) qui s'étend à travers la zone active ; c) réaliser une couche de renforcement (3) métallique sur la succession de couches semi-conductrices au moyen d'une séparation galvanique, la couche de renforcement métallique recouvrant en totalité la succession de couches semi-conductrices et remplissant au moins en partie l'évidement ; et d) retirer le substrat. L'invention concerne par ailleurs une puce semi-conductrice (1) optoélectronique.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten