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1. (WO2018181809) PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/181809 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/013444
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 29.03.2018
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,B08B 3/02 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
B Arbeitsverfahren; Transportieren
08
Reinigen
B
Reinigen allgemein; Verhüten des Verschmutzens allgemein
3
Reinigen durch Verfahren, die die Verwendung oder Gegenwart von Flüssigkeit oder Dampf einschließen
02
Reinigen durch die Kraft von Strahldüsen oder Sprühstrahlen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
208
durch Ablagerung aus der flüssigen Phase
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
Anmelder:
株式会社FLOSFIA FLOSFIA INC. [JP/JP]; 京都府京都市西京区御陵大原1番36号 1-36, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158245, JP
Erfinder:
柳生 慎悟 YAGYU Shingo; JP
人羅 俊実 HITORA Toshimi; JP
Prioritätsdaten:
2017-07329431.03.2017JP
2017-07329531.03.2017JP
Titel (EN) PROCESSING DEVICE AND PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(JA) 処理装置および処理方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided are a processing device (system) and a processing method with which good quality roll-to-roll processing can be performed simply and easily on both sides of a substrate under atmospheric pressure. A processing device (system) for processing a substrate using a mist or liquid droplets including a processing agent is provided with an accumulation unit for accumulating the mist or liquid droplets, and an impregnation unit for impregnating the substrate with the accumulated mist or liquid droplets. Using the processing device, the mist or liquid droplets are accumulated, and the substrate is processed by impregnating the substrate with the accumulated mist or liquid droplets.
(FR) L'invention concerne un dispositif (système) de traitement et un procédé de traitement qui permettent de réaliser un traitement de rouleau à rouleau de bonne qualité simplement et facilement des deux côtés d'un substrat sous pression atmosphérique. Un dispositif (système) de traitement destiné à traiter un substrat en utilisant un brouillard ou des gouttelettes de liquide comprenant un agent de traitement est pourvu d'une unité d'accumulation destinée à accumuler le brouillard ou les gouttelettes de liquide, et d'une unité d'imprégnation destinée à imprégner le substrat avec le brouillard ou les gouttelettes de liquide accumulés. En utilisant le dispositif de traitement, le brouillard ou les gouttelettes de liquide sont accumulés et le substrat est traité par imprégnation du substrat avec le brouillard ou les gouttelettes de liquide accumulés.
(JA) 大気圧下で、基板の両面において、簡便且つ容易に良質な処理をロール・トゥ・ロールで可能な処理装置(システム)および処理方法を提供する。処理剤を含むミストまたは液滴を用いて基体を処理する処理装置(システム)であって、前記ミストまたは液滴を滞留させる滞留部と、滞留させている前記ミストまたは液滴を前記基体に含浸させる含浸部とを備えている処理装置を用いて、前記ミストまたは液滴を滞留させ、滞留させている前記ミストまたは液滴を前記基体に含浸させて前記基体を処理する。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)