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1. (WO2018181499) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/181499 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/012813
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.03.2018
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28
Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
283
Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden
288
aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745
mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
0747
mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT-Solarzellen
Anmelder:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Erfinder:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Vertreter:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Prioritätsdaten:
2017-07232831.03.2017JP
Titel (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) A photoelectric conversion element manufacturing method of the present disclosure comprises: a step of preparing a semiconductor substrate having an n-type semiconductor portion and a p-type semiconductor portion which configures a diode with the n-type semiconductor portion; a step of forming an n-side base conductive layer in at least a part of the n-type semiconductor portion; a step of forming a p-side base conductive layer in at least a part of the p-type semiconductor portion; and a step of forming a plated layer in at least a part of the n-side base conductive layer and at least a part of the p-side base conductive layer by immersing the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer in a plating solution, and, with the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer being electrically connected only by means of the diode, feeding power to the n-side base conductive layer.
(FR) Un procédé de fabrication d'élément de conversion photoélectrique de la présente invention comprend : une étape de préparation d'un substrat semiconducteur ayant une portion semiconductrice de type n et une portion semiconductrice de type p qui configure une diode avec la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté n dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté p dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type p; et une étape de formation d'une couche plaquée dans au moins une partie de la couche conductrice de base côté n et au moins une partie de la couche conductrice de base côté p par immersion de la couche conductrice de base côté n et de la couche conductrice de base côté p dans une solution de placage, et, la couche conductrice de base côté n et la couche conductrice de base côté p étant électroconnectées uniquement au moyen de la diode, fournissant de l'énergie à la couche conductrice de base côté n.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、を含む。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)