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1. (WO2018181438) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2018/181438 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/012669
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/08 (2006.01) ,H04N 5/321 (2006.01) ,H04N 5/361 (2011.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
G Physik
01
Messen; Prüfen
T
Messung von Kern- oder Röntgenstrahlung
1
Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung
16
Messen der Strahlungsintensität
20
mit Szintillationsdetektoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
32
Umwandeln von Röntgenstrahlen
321
mit Videoübertragung von Schirmbildern
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
357
Rauschverarbeitung, z.B. Detektion, Korrektur, Reduktion oder Eliminierung / Unterdrückung des Rauschens
361
angewandt bei Dunkelstrom
Anmelder:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Erfinder:
中村 友 NAKAMURA Yu; --
冨安 一秀 TOMIYASU Kazuhide; --
中澤 淳 NAKAZAWA Makoto; --
森脇 弘幸 MORIWAKI Hiroyuki; --
中村 渉 NAKAMURA Wataru; --
中野 文樹 NAKANO Fumiki; --
Vertreter:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
Prioritätsdaten:
2017-06893330.03.2017JP
Titel (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention provides an X-ray imaging panel, and a method for manufacturing the same, with which it is possible to suppress leak current in a photoelectric conversion layer while reducing the number of processes for manufacturing the imaging panel. An imaging panel 1 for generating an image on the basis of scintillation light obtained from X-rays transmitted through a subject. The imaging panel 1 is provided with a thin film transistor 13, passivation films 103, 104 covering the thin film transistor 13, a photoelectric conversion layer 15 for converting the scintillation light into an electrical charge, an upper electrode 16, and a lower electrode 14 connected to the thin film transistor 13, said elements being provided on a substrate 101. The end parts of the lower electrode 14 are disposed on the inner side relative to the end parts of the photoelectric conversion layer 15. The lower electrode 14 and the thin film transistor 13 are connected via a contact hole CH1 formed in the passivation films 103, 104 in a region in which the photoelectric conversion layer 15 is provided.
(FR) La présente invention concerne un panneau d'imagerie à rayons X et un procédé de fabrication correspondant, qui permettent de supprimer le courant de fuite dans une couche de conversion photoélectrique et de réduire en même temps le nombre de processus nécessaires à la fabrication du panneau d'imagerie. Le panneau d'imagerie (1) sert à produire une image sur la base d'une lumière de scintillation obtenue à partir de rayons X ayant traversé un objet. Le panneau d'imagerie (1) est pourvu d'un transistor à couches minces (13), de films de passivation (103, 104) recouvrant le transistor à couches minces (13), d'une couche de conversion photoélectrique (15) pour convertir la lumière de scintillation en une charge électrique, d'une électrode supérieure (16) et d'une électrode inférieure (14) connectée au transistor à couches minces (13), lesdits éléments se situant sur un substrat (101). Les parties d'extrémité de l'électrode inférieure (14) sont placées sur le côté interne par rapport aux parties d'extrémité de la couche de conversion photoélectrique (15). L'électrode inférieure (14) et le transistor à couches minces (13) sont connectés par l'intermédiaire d'un trou de contact (CH1) formé dans les films de passivation (103, 104), dans la région dans laquelle la couche de conversion photoélectrique (15) se situe.
(JA) 撮像パネルを作製する工程を削減しつつ、光電変換層のリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13を覆うパッシベーション膜103、104と、シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層15と、上部電極16と、薄膜トランジスタ13と接続された下部電極14とを備える。下部電極14の端部は、光電変換層15の端部よりも内側に配置される。下部電極14と薄膜トランジスタ13は、光電変換層15が設けられた領域において、パッシベーション膜103、104に形成されたコンタクトホールCH1を介して接続されている。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)