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1. (WO2018181128) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/181128 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/012036
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.03.2018
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01) ,H05K 3/24 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
04
die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind
06
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
072
wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird
0745
mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen
0747
mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT-Solarzellen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
3
Geräte oder Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
22
Zweitbehandlung von gedruckten Schaltungen
24
Verstärken des leitenden Musters
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
3
Geräte oder Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen
30
Zusammenbauen von gedruckten Schaltungen mit elektrischen Schaltelementen, z.B. mit einem Widerstand
32
Elektrisches Verbinden von elektrischen Schaltelementen oder Leitungen mit gedruckten Schaltungen
34
durch Verlöten
Anmelder:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
Erfinder:
和田 英敏 WADA, Hidetoshi; JP
末崎 恭 SUEZAKI, Takashi; JP
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
Vertreter:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
Prioritätsdaten:
2017-07280831.03.2017JP
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) A method for producing a photoelectric conversion element according to the present disclosure comprises: a first electrode formation step wherein a first electrode is formed on at least a first main surface side of a photoelectric conversion unit with use of a conductive paste that contains conductive particles, a thermosetting resin and a solvent; an atmospheric drying step wherein the first electrode is dried by being heated at the atmospheric pressure so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin; a vacuum drying step wherein the first electrode is vacuum dried by being heated under a vacuum so as not to exceed the curing temperature of the thermosetting resin after the atmospheric drying step; and an insulating film formation step wherein an insulating film is formed on the first main surface side of the first electrode after the vacuum drying step.
(FR) Un procédé de production d'un élément de conversion photoélectrique selon la présente invention comprend : une première étape de formation d'électrode dans laquelle une première électrode est formée sur au moins un premier côté de surface principale d'une unité de conversion photoélectrique avec l'utilisation d'une pâte conductrice qui contient des particules conductrices, une résine thermodurcissable et un solvant; une étape de séchage atmosphérique dans laquelle la première électrode est séchée en étant chauffée à la pression atmosphérique de façon à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable; une étape de séchage sous vide dans laquelle la première électrode est séchée sous vide en étant chauffée sous vide de manière à ne pas dépasser la température de durcissement de la résine thermodurcissable après l'étape de séchage atmosphérique; et une étape de formation de film isolant dans laquelle un film isolant est formé sur le premier côté de surface principale de la première électrode après l'étape de séchage sous vide.
(JA) 本開示に係る光電変換素子の製造方法は、光電変換部における少なくとも第1の主面側に、導電性粒子、熱硬化性樹脂、溶剤を含む導電性ペーストを用いて第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極を、大気圧下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、乾燥させる大気乾燥工程と、前記大気乾燥工程の後に、前記第1電極を、真空下において前記熱硬化性樹脂の硬化温度を超えないように加熱し、真空乾燥させる真空乾燥工程と、前記真空乾燥工程後に、前記第1電極の前記第1の主面側に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、を含む。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)