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1. (WO2018180536) PROGRAMMABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, PROGRAMMING METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/180536 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/010177
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 15.03.2018
IPC:
H03K 19/177 (2006.01) ,H01L 21/82 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
19
Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
02
gekennzeichnet durch die verwendeten Bauelemente
173
mit logischen Grundschaltungen als Bauelemente
177
in Matrizenform angeordnet
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
49
Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L27/-H01L47/90; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Erfinder:
多田 あゆ香 TADA Ayuka; JP
阪本 利司 SAKAMOTO Toshitsugu; JP
宮村 信 MIYAMURA Makoto; JP
辻 幸秀 TSUJI Yukihide; JP
根橋 竜介 NEBASHI Ryusuke; JP
白 旭 BAI Xu; JP
Vertreter:
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Prioritätsdaten:
2017-06286828.03.2017JP
Titel (EN) PROGRAMMABLE LOGIC INTEGRATED CIRCUIT, PROGRAMMING METHOD THEREFOR AND PROGRAM THEREFOR
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ LOGIQUE PROGRAMMABLE, SON PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION ET PROGRAMME ASSOCIÉ
(JA) プログラマブル論理集積回路とそのプログラミング方法及びそのプログラム
Zusammenfassung:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a circuit capable of reducing leakage power in a programmable logic circuit using resistance change elements. To this end, the present invention is a programmable logic integrated circuit comprising a switch matrix provided with, as a switch element, a plurality of first resistance change elements connected to an input line and an output line, wherein a buffer is connected to the output line, the programmable logic integrated circuit being characterized in that power is not supplied to the buffer that is connected to the output line and does not contribute to an operation of a desired logic circuit, the operation being caused when the logic circuit has been programmed.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir un circuit susceptible de réduire la puissance de fuite dans un circuit logique programmable à l'aide d'éléments de changement de résistance. À cet effet, la présente invention est un circuit intégré logique programmable comprenant une matrice de commutation pourvue, en tant qu'élément de commutation, d'une pluralité de premiers éléments de changement de résistance connectés à une ligne d'entrée et à une ligne de sortie, un tampon étant connecté à la ligne de sortie, le circuit intégré logique programmable étant caractérisé en ce que la puissance n'est pas fournie au tampon qui est connecté à la ligne de sortie et ne contribue pas à un fonctionnement d'un circuit logique souhaité, le fonctionnement étant provoqué lorsque le circuit logique a été programmé.
(JA) 本発明の目的は、抵抗変化素子を用いたプログラマブル論理回路にて、リーク電力を抑制することのできる回路を提供することである。そのために本発明は、入力線と出力線に接続された複数の第1の抵抗変化素子をスイッチ素子として備えたスイッチマトリクスを有し、前記出力線にバッファが接続されたプログラマブル論理集積回路であって、所望の論理回路をプログラムした際に生じる、前記論理回路の動作には寄与しない前記出力線に接続されている前記バッファには電源を供給しないことを特徴とする。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)