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1. (WO2018180146) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPLEMENTARY SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND PRODUCT TAG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/180146 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/007469
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.02.2018
IPC:
H01L 21/336 (2006.01) ,C01B 32/158 (2017.01) ,H01L 21/208 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
[IPC code unknown for C01B 32/158]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
208
durch Ablagerung aus der flüssigen Phase
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
312
Organische Schichten, z.B. Fotolack
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05
besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05
besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
30
Materialauswahl
Anmelder:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
Erfinder:
磯貝和生 ISOGAI, Kazuki; JP
村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro; JP
崎井大輔 SAKII, Daisuke; JP
Prioritätsdaten:
2017-06042627.03.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPLEMENTARY SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION DEVICE AND PRODUCT TAG
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPLÉMENTAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL ET ÉTIQUETTE DE PRODUIT
(JA) 半導体素子、相補型半導体装置、半導体素子の製造方法、無線通信装置および商品タグ
Zusammenfassung:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a semiconductor device having stable n-type semiconductor characteristics without deterioration over time. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device provided with: a substrate; a source electrode, a drain electrode and a gate electrode; a semiconductor layer which contacts the source electrode and the drain electrode; a gate insulation layer which insulates the semiconductor layer from the gate electrode; and a second insulation layer which contacts the semiconductor layer on a side opposite to the gate insulation layer with respect to the semiconductor layer, wherein the semiconductor device is characterized in that the semiconductor layer contains carbon nanotubes, the second insulation layer contains electron-donating compounds including at least any one selected from among nitrogen atoms and phosphorous atoms, and the oxygen permeability of the second insulation layer is equal to or less than 4.0 cc/(m2·24h·atm).
(FR) La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques de semi-conducteur de type n stables sans détérioration au fil du temps. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif à semi-conducteur comportant : un substrat; une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille; une couche semi-conductrice qui entre en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain; une couche d'isolation de grille qui isole la couche semi-conductrice de l'électrode de grille; et une seconde couche d'isolation qui est en contact avec la couche semi-conductrice sur un côté opposé à la couche d'isolation de grille par rapport à la couche semi-conductrice, le dispositif à semi-conducteur étant caractérisé en ce que la couche semi-conductrice contient des nanotubes de carbone, la seconde couche d'isolation contient des composés donneurs d'électrons comprenant au moins un atome choisi parmi des atomes d'azote et des atomes de phosphore, et la perméabilité à l'oxygène de la seconde couche d'isolation est inférieure ou égale à 4,0 cc/(m2·24h·atm).
(JA) 本発明は、経時的劣化のない、安定な、n型半導体特性を有する半導体素子を提供することを課題とし、 基材と、 ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、 前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、 前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、 前記半導体層に対して前記ゲート絶縁層とは反対側で前記半導体層と接する第2絶縁層と、を備えた半導体素子であって、 前記半導体層が、カーボンナノチューブを含有し、 前記第2絶縁層が、窒素原子およびリン原子から選ばれるいずれか1種以上を有する電子供与性化合物を含有し、 前記第2絶縁層の酸素透過度が、4.0cc/(m・24h・atm)以下であることを特徴とする、 半導体素子とすることを本旨とする。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)