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1. (WO2018180045) RESIST PATTERN FORMING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/180045 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/006275
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 21.02.2018
IPC:
G03F 7/012 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
008
Azide
012
Makromolekulare Azide; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
26
Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür
40
Nachbehandlung nach dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Backen
Anmelder:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
Erfinder:
佐藤 信寛 SATO Nobuhiro; JP
Vertreter:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Prioritätsdaten:
2017-06579929.03.2017JP
Titel (EN) RESIST PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジストパターン形成方法
Zusammenfassung:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a resist pattern forming method by which a resist pattern having an inverse taper shape with a good cross-section and having a reduced amount of residual moisture and residual organic components can be formed. The resist forming method of the present invention comprises: a step for forming a radiation-sensitive resin film by using a resin solution including an alkali soluble resin, a cross-linking component, and an organic solvent; a step for forming a cured film by exposing the radiation-sensitive resin film to light; a step for forming a developed pattern by developing the cured film; and a step for obtaining a resist pattern by performing a post-development bake on the developed pattern, wherein the alkali soluble resin includes 35-90 mass% of a polyvinylphenol resin, and the temperature of the post-development bake is 200°C or higher.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un procédé de formation de motif de réserve par lequel un motif de réserve ayant une forme de conicité inverse avec une bonne section transversale et ayant une quantité réduite d'humidité résiduelle et de composants organiques résiduels peut être formé. Le procédé de formation de réserve selon la présente invention comprend : une étape consistant à former un film de résine sensible au rayonnement à l'aide d'une solution de résine comprenant une résine soluble dans les alcalis, un composant de réticulation et un solvant organique ; une étape consistant à former un film durci par exposition du film de résine sensible au rayonnement à la lumière ; une étape consistant à former un motif développé par développement du film durci ; et une étape consistant à obtenir un motif de réserve en effectuant une cuisson post-développement sur le motif développé, la résine soluble dans les alcalis comprenant de 35 à 90 % en masse d'une résine de polyvinylphénol, et la température de la cuisson post-développement étant supérieure ou égale à 200 °C.
(JA) 本発明は、断面が良好な逆テーパー形状を有する共に、残留水分および残留有機分が低減されたレジストパターンを形成可能なレジストパターンの形成方法の提供を目的とする。本発明のレジストパターン形成方法は、アルカリ可溶性樹脂、架橋成分、および有機溶剤を含む樹脂液を用いて感放射線性樹脂膜を形成する工程と、前記感放射線性樹脂膜を露光して硬化膜を形成する工程と、前記硬化膜を現像して現像パターンを形成する工程と、前記現像パターンにポスト現像ベークを施してレジストパターンを得る工程と、を含み、前記アルカリ可溶性樹脂が、ポリビニルフェノール樹脂を35質量%以上90質量%以下含み、前記ポスト現像ベークの温度が200℃以上である。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)