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1. (WO2018179704) PATTERN FORMING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/179704 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/001666
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 19.01.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
09
gekennzeichnet durch Einzelheiten des Aufbaus, z.B. Schichtträger, Hilfsschichten
11
mit Deck- oder Zwischenschichten, z.B. Trennschichten
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
038
makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
Anmelder:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Erfinder:
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
Vertreter:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Prioritätsdaten:
2017-06193527.03.2017JP
Titel (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Zusammenfassung:
(EN) This pattern forming method comprises: a step for applying a composition for underlayer film formation to a substrate; a step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation directly or indirectly to an underlayer film which is formed by the step for applying a composition for underlayer film formation; a step for exposing a resist film to light, said resist film being formed by the step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation; and a step for developing the resist film which has been exposed to light. The composition for underlayer film formation contains at least one of: a first component which produces a component having an acid group that is a sulfo group, a carboxy group, a phosphono group, a phosphoric acid group, a sulfuric acid group, a sulfone amide group, a sulfonyl imide group, a -CRF1RF2OH group or a combination of these groups by the action of heat; and a second component which is other than the first component and has one of the acid groups described above. The radiation sensitive composition for resist film formation contains 50% by mass or more of a metal-containing compound in terms of solid content.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant: une étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche sur un substrat; une étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve directement ou indirectement sur un film de sous-couche qui est formé par l'étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche; une étape consistant à exposer un film de réserve à une lumière, ledit film de réserve étant formé par l'étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve; et une étape consistant à développer le film de réserve qui a été exposé à la lumière. La composition permettant de former un film de sous-couche contient au moins l'un des éléments suivants: un premier composant qui produit un composant contenant un groupe acide, tel qu'un groupe sulfo, un groupe carboxy, un groupe phosphono, un groupe acide phosphorique, un groupe acide sulfurique, un groupe sulfonamide, un groupe sulfonimide, un groupe -CRF1RF2OH ou une combinaison de ces groupes, sous l'effet de la chaleur; et un second composant qui est différent du premier composant et qui contient l'un des groupes acides décrits ci-dessus. La composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve contient au moins 50% en masse d'un composé contenant du métal en termes de teneur en solide.
(JA) 本発明のパターン形成方法は、基板に下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記下層膜形成用組成物塗工工程により形成された下層膜上に直接又は間接にレジスト膜形成用感放射線性組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記下層膜形成用組成物が、スルホ基、カルボキシ基、ホスホノ基、リン酸基、硫酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、-CRF1F2OH又はこれらの組み合わせである酸基を有する成分を熱の作用により発生する第1成分と、上記第1成分以外の成分であって上記酸基を有する第2成分とのうち少なくとも1種を含有し、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物が、金属含有化合物を固形分換算で50質量%以上含有する。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)