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1. (WO2018177807) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

Pub. No.:    WO/2018/177807    International Application No.:    PCT/EP2018/057001
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Mar 21 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/54
H01L 33/60
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: PERZLMAIER, Korbinian
RAFAEL, Christine
TÅNGRING, Ivar
Title: OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Abstract:
In einer Ausführungsform beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Leuchtdiodenchip (2) zur Erzeugung von Strahlung und eine Füllung (3), die für die Strahlung durchlässig ist. Ferner weist das Halbleiterbauteil (1) einen Reflektor (4) für die Strahlung auf. Der Leuchtdiodenchip (2) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (21) zur Erzeugung der Strahlung, elektrische Kontaktstellen (23, 24) an einer Montageseite (26), einen Trägerkörper (22) sowie eine Antibenetzungsschicht (5). Die Antibenetzungsschicht (5) wirkt für ein Material des Reflektors (4) und der Füllung (3) abweisend. Die Antibenetzungsschicht (5) liegt seitlich an dem Leuchtdiodenchip (2) frei und befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (21) und dem Trägerkörper (22) und/oder in lateraler Richtung (L) neben der Halbleiterschichtenfolge (21). Die Füllung (3) und der Reflektor (4) stoßen an der freiliegenden Antibenetzungsschicht (5) aneinander. Die Füllung (3) verbreitert sich in Richtung weg von der Montageseite (26), so dass an einer Grenzfläche (34) zwischen der Füllung (3) und dem Reflektor (4) eine Reflexion der Strahlung in Richtung weg von dem Trägerkörper (22) erfolgt.