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1. (WO2018177764) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEUCHTDIODENCHIPS UND LEUCHTDIODENCHIP

Pub. No.:    WO/2018/177764    International Application No.:    PCT/EP2018/056558
Publication Date: Fri Oct 05 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/00
H01L 33/22
H01L 33/32
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: DRAGO, Massimo
FREY, Alexander
HERTKORN, Joachim
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LEUCHTDIODENCHIPS UND LEUCHTDIODENCHIP
Abstract:
Das Verfahren ist zur Herstellung von Leuchtdiodenchips eingerichtet und weist die folgenden Schritte auf: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), C) Erzeugen einer Strukturschicht (3), insbesondere mit einer Vielzahl von pyramidenförmigen Strukturelementen (33), wobei die Strukturschicht (3) aus A1x1Ga1-x1-y1Iny1N ist mit yl ≥ 0,5, D) Erzeugen einer Deckschicht (4) auf der Strukturschicht (3), wobei die Deckschicht (4) die Strukturschicht (3) formtreu nachformt und aus A1x2Ga1-x2-y2Iny2N ist mit x2 ≥ 0, 6, E) Erzeugen einer Planarisierungsschicht (5) auf der Deckschicht (4), wobei eine dem Aufwachssubstrat (1) abgewandte Seite der fertigen Planarisierungsschicht (5) eben ist und die Planarisierungsschicht (5) aus A1x3Ga1-x3-y3lny3N ist mit x3 + y3 ≥ 0,2, und F) Wachsen einer Funktionsschichtenfolge (7) zur Strahlungserzeugung auf der Planarisierungsschicht (5).