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1. WO2018177649 - SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE

Veröffentlichungsnummer WO/2018/177649
Veröffentlichungsdatum 04.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/053769
Internationales Anmeldedatum 15.02.2018
IPC
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G Physik
21
Kernphysik; Kerntechnik
K
Verfahren und Vorrichtungen zur Handhabung von Teilchen oder ionisierender Strahlung, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Bestrahlungsvorrichtungen; Gamma- oder Röntgenstrahlmikroskope
1
Anordnungen zur Handhabung von ionisierender Strahlung oder von Teilchen, z.B. Fokussieren oder Moderieren
06
unter Anwendung von Beugung, Brechung oder Reflexion, z.B. Monochromatoren
G03F 7/20 (2006.01)
G21K 1/06 (2006.01)
CPC
G02B 5/0891
G03F 7/702
G03F 7/70266
G03F 7/70316
G21K 1/062
G21K 2201/065
Anmelder
  • CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
  • LIPPERT, Johannes [DE/DE]; DE (US)
  • GRUNER, Toralf [DE/DE]; DE (US)
  • HILD, Kerstin [DE/DE]; DE (US)
Erfinder
  • LIPPERT, Johannes; DE
  • GRUNER, Toralf; DE
  • HILD, Kerstin; DE
Vertreter
  • FRANK, Hartmut; DE
Prioritätsdaten
10 2017 205 405.030.03.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
(EN) MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION LIGHTING SYSTEM
(FR) MIROIR NOTAMMENT DESTINÉ À UNE INSTALLATION DE LITHOGRAPHIE PAR PROJECTION MICROLITHOGRAPHIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit einem Substrat (11, 61, 71, 81, 91), einem Reflexionsschichtsystem (16, 66, 76, 86, 96) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (10a, 60a, 70a, 80a, 90a) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, einer auf dem Substrat (11, 61, 71, 81, 91) vorgesehenen Elektrodenanordnung (13, 63, 73, 83) aus einem ersten Material mit einer ersten elektrischen Leitfähigkeit und einer Vermittlerschicht (12, 62, 72, 82, 92) aus einem zweiten Material mit einer zweiten elektrischen Leitfähigkeit, wobei das Verhältnis zwischen der ersten und der zweiten elektrischen Leitfähigkeit wenigstens 100 beträgt, wobei der Spiegel wenigstens eine Kompensationsschicht (88) aufweist, welche den Einfluss einer thermischen Ausdehnung der Elektrodenanordnung (83) auf die Deformation der optischen Wirkfläche (80a) wenigstens teilweise kompensiert.
(EN)
The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection lighting system, wherein the mirror has an optical operating surface, comprising a substrate (11, 61, 71, 81, 91), a reflective layer system (16, 66, 76, 86, 96) for reflecting electromagnetic radiation incident on the optical operating surface (10a, 60a, 70a, 80a, 90a), an electrode assembly (13, 63, 73, 83) which is provided on the substrate (11, 61, 71, 81, 91) and which is made of a first material with a first electric conductivity, and a mediator layer (12, 62, 72, 82, 92) which is made of a second material with a second electric conductivity. The ratio between the first and the second electric conductivity is at least 100, and the mirror has at least one compensation layer (88) which at least partly compensates for the influence of a thermal expansion of the electrode assembly (83) on the deformation of the optical operating surface (80a).
(FR)
L’invention concerne un miroir, en particulier destiné à une installation de lithographie par projection microlithographique, le miroir présentant une surface active comprenant un substrat (11, 61, 71, 81, 91), un système stratifié de réflexion (16, 66, 76, 86, 96) pour la réflexion de rayonnement électromagnétique incident sur la surface active optique (10a, 60a, 70a, 80a, 90a), un agencement d’électrodes (13, 63, 73, 83) prévu sur le substrat (11, 61, 71, 81, 91), composées d’un premier matériau avec une première conductivité électrique et une couche intermédiaire (12, 62, 72, 82, 92) d’un deuxième matériau avec une deuxième conductivité électrique, le rapport entre la première et la deuxième conductivité électrique étant d’au moins 100, le miroir comprenant au moins une couche de compensation (88), laquelle compense au moins partiellement l’influence d’une dilatation thermique de l’agencement d’électrodes (83) sur la déformation de la surface active optique (80a).
Auch veröffentlicht als
EP2018707650
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