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1. (WO2018172276) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
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Veröff.-Nr.: WO/2018/172276 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/056871
Veröffentlichungsdatum: 27.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 19.03.2018
IPC:
H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
GEBUHR, Tobias; DE
BURGER, Markus; DE
BOSS, Markus; DE
PINDL, Markus; null
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 106 407.924.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
Zusammenfassung:
(EN) The method is designed for producing optoelectronic semiconductor components and comprises the following steps: A) providing a chip carrier (2) with electrical conductor structures (22) on the carrier top side (20), B) fitting at least one semiconductor chip (3), which is designed for generating light, on at least one of the electrical conductor structures (22), C) mounting at least one sealing-off structure (4) on at least one of the electrical conductor structures (22), so that the sealing-off structure (4) completely encloses at least one contact region (24) all the way around as seen in plan view, D) producing a potting body (5) directly on the at least one semiconductor chip (3) and directly on the at least one sealing-off structure (4) by means of injection moulding or transfer moulding, wherein the at least one sealing-off structure (4) in an injection-moulding die (61, 62) seals off the at least one contact region (24) from a material of the potting body (5), so that the at least one contact region (24) remains free of the potting body (5).
(FR) L'invention concerne un procédé conçu pour la fabrication de semiconducteurs optoélectroniques, comprenant les étapes suivantes : A) fourniture d'un support de puce (2) doté de structures conductrices électriques (22) sur un côté supérieur de support (20), B) application d'au moins une puce en semiconducteur (3), qui est conçue pour générer de la lumière, sur au moins l'une des structures conductrices électriques (22), C) application d'au moins une structure d'étanchéité (4) sur au moins l'une des structures conductrices électriques (22), de sorte que la structure d'étanchéité (4) entoure entièrement au moins une zone de contact (24) de tous les côtés vue de dessus, D) production d'un corps d'enrobage (5) directement au niveau de l'au moins une puce en semiconducteur (3) et directement au niveau de l'au moins une structure d'étanchéité (4) au moyen du moulage par injection ou du moulage par transfert. L'au moins une structure d'étanchéité (4), dans un outil d'injection (61, 62), assure l'étanchéité de l'au moins une zone de contact (24) par rapport à un matériau du corps d'enrobage (5) de telle sorte que l'au moins une zone de contact (24) reste exempte du corps d'enrobage (5).
(DE) Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritt: A) Bereitstellen eines Chipträgers (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (22) an einer Trägeroberseite (20), B) Anbringen mindestens eines Halbleiterchips (3), der zur Lichterzeugung eingerichtet ist, auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), C) Aufbringen zumindest einer Abdichtstruktur (4) auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), sodass die Abdichtstruktur (4) mindestens einen Kontaktbereich (24) in Draufsicht gesehen ringsum vollständig umschließt, D) Erzeugen eines Vergusskörpers (5) direkt an dem mindestens einen Halbleiterchip (3) und direkt an der zumindest einen Abdichtstruktur (4) mittels Spritzgießen oder Spritzpressen, wobei die zumindest eine Abdichtstruktur (4) in einem Spritzwerkzeug (61, 62) den mindestens einen Kontaktbereich (24) gegenüber einem Material des Vergusskörpers (5) abdichtet, sodass der mindestens eine Kontaktbereich (24) frei von dem Vergusskörper (5) bleibt.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)