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1. (WO2018172205) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/172205 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/056654
Veröffentlichungsdatum: 27.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 16.03.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
16
mit besonderer Kristallstruktur oder -orientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
AVRAMESCU, Adrian Stefan; DE
VARGHESE, Tansen; DE
STRASSBURG, Martin; DE
LUGAUER, Hans-Jürgen; DE
FÜNDLING, Sönke; DE
HARTMANN, Jana; DE
STEIB, Frederik; DE
WAAG, Andreas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 105 943.120.03.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is an optoelectronic semiconductor chip comprising at least one bar (1) which has two lateral surfaces (1a) that are located across from each other; an active region (16) is arranged on each of the lateral surfaces (1a).
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique comportant au moins une lamelle (1), ladite lamelle (1) présentant deux surfaces latérales qui sont agencées de manière opposée l'une à l'autre, et une zone active (16) est aménagée sur chacune des surfaces latérales (1a).
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit - zumindest einer Lamelle (1) angegeben, wobei - die Lamelle (1) zwei Seitenflächen (1a) aufweist, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, und - an jeder der Seitenflächen (1a) ein aktiver Bereich (16) angeordnet ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)