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1. WO2018166697 - VERFAHREN ZUM UMSCHALTEN EINES HALBLEITERSCHALTERS

Veröffentlichungsnummer WO/2018/166697
Veröffentlichungsdatum 20.09.2018
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2018/052354
Internationales Anmeldedatum 31.01.2018
IPC
H03K 17/14 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
14Ausbildung von Schaltern zur Kompensation der Veränderungen physikalischer Größen, z.B. der Temperatur
H03K 17/284 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
17Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
28Schalter, die für eine Zeitverzögerung des Schaltvorganges ausgebildet sind
284in Schaltern mit Feldeffekttransistoren
CPC
H03K 17/145
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
14Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
145in field-effect transistor switches
H03K 17/284
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
28Modifications for introducing a time delay before switching
284in field effect transistor switches
Anmelder
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • MARQUARDT, Daniel
  • HENNE, Ralf
  • WICHERT, Bernd
  • UELTZHOEFFER, Frank
Prioritätsdaten
10 2017 204 418.716.03.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM UMSCHALTEN EINES HALBLEITERSCHALTERS
(EN) METHOD FOR SWITCHING A SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) PROCÉDÉ POUR LA COMMUTATION D'UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (20, 30) und ein Verfahren zum Umschalten eines Halbleiterschalters (10) mittels eines an einem Steueranschluss des Halbleiterschalters (10) anliegenden Schaltsignals (S), wobei das Schaltsignal (S) in Reaktion auf ein Registrieren eines Umschaltens eines Ansteuersignais (A) umgeschaltet wird, wobei eine Totzeit (t1) zwischen dem Beginn des Umschaltens des Schaltsignals (S) und dem Umschalten (to) des Halbleiterschalters (10) ermittelt wird, wobei das Umschalten des Halbleiterschalters (10) um eine Wartezeit (td) verzögert wird, z.B. durch Verzögern der Ausgabe des Schaltsignals und/oder Verändern der Signalhöhe, so dass eine einer Soll-Schaltzeit entsprechende Ist-Schaltzeit zwischen Registrieren des Umschaltens des Ansteuersignals (A) und Umschalten des Halbleiterschalters (10) erhalten wird.
(EN) The invention relates to a device (20, 30) and a method for switching a semiconductor switch (10) by means of a switch signal (S) applied to a control connection of the semiconductor switch (10), wherein the switch signal (S) is switched in response to the recording of a switching of a control signal (A), wherein a dead time (t1) between the start of the switching of the switch signal (S) and the switching (to) of the semiconductor switch (10) is determined, wherein the switching of the semiconductor switch (10) is delayed by a waiting time (td), for example by delaying the output of the switch signal and/or changing the signal level, such that an actual switching time corresponding to a target switching time is obtained between recording of the switching of the control signal (A) and switching of the semiconductor switch (10).
(FR) L’invention concerne un dispositif (20, 30) et un procédé pour la commutation d’un commutateur à semi-conducteur (10) au moyen d’un signal de commutation (S) présent à une borne de commande du commutateur à semi-conducteur (10), le signal de commutation (S) étant commuté en réaction à l’enregistrement d’une commutation d’un signal de commande (A), un temps mort (t1) entre le début de la commutation du signal de commutation (S) et la commutation (to) du commutateur à semi-conducteur (10) étant déterminé, la commutation du commutateur à semi-conducteur (10) étant retardée d’un temps d’attente (td), p. ex. en retardant l’émission du signal de commutation et/ou en modifiant le niveau de signal, de sorte qu’un temps de commutation réel entre l'enregistrement de la commutation du signal de commande (A) et la commutation du commutateur à semi-conducteur (10) correspondant au temps de commutation de consigne soit maintenu.
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