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1. (WO2018165088) SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/165088 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/021040
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 06.03.2018
IPC:
H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40
Elektroden
43
gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen
47
Schottky-Sperrschicht-Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
778
mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
20
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
Anmelder:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Erfinder:
TABATABAIE-ALAVI, Kamal; US
CHENG, Kezia; US
MACDONALD, Christopher, J.; US
Vertreter:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
Prioritätsdaten:
15/452,98608.03.2017US
Titel (EN) SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR FORMING SUCH SCHOTTKY CONTACT STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE TELLE STRUCTURE DE CONTACT SCHOTTKY
Zusammenfassung:
(EN) A Schottky contact structure (18) for a semiconductor device (10) having a Schottky contact (20) and an electrode (22) for the contact structure disposed on the contact. The Schottky contact comprises: a first layer (24) of a first metal in Schottky contact with a semiconductor; a second layer (26) of a second metal on the first layer; a third layer (28) of the first metal on the second layer; and a fourth layer (30) of the second metal on the third layer. The electrode for the Schottky contact structure disposed on the Schottky contact comprises a third metal (22), the second metal providing a barrier against migration between the third metal and the first metal.
(FR) L'invention concerne une structure de contact Schottky (18) pour un dispositif semiconducteur (10) comprenant un contact Schottky (20) et une électrode (22) pour la structure de contact disposée sur le contact. Le contact Schottky comprend : une première couche (24) d'un premier métal en contact Schottky avec un semiconducteur ; une deuxième couche (26) d'un deuxième métal sur la première couche ; une troisième couche (28) du premier métal sur la deuxième couche ; et une quatrième couche (30) du deuxième métal sur la troisième couche. L'électrode pour la structure de contact Schottky disposée sur le contact Schottky comprend un troisième métal (22), le deuxième métal réalisant une barrière contre la migration entre le troisième métal et le premier métal.
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)