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1. (WO2018163650) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/163650 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/002522
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.01.2018
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
308
unter Verwendung von Masken
Anmelder:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Erfinder:
大宮 大輔 OMIYA Daisuke; JP
Vertreter:
近藤 利英子 KONDO Rieko; JP
菅野 重慶 SUGANO Shigeyoshi; JP
岡田 薫 OKADA Kaoru; JP
竹山 圭太 TAKEYAMA Keita; JP
Prioritätsdaten:
2017-04646910.03.2017JP
Titel (EN) ETCHANT COMPOSITION AND ETCHING METHOD
(FR) COMPOSITION D'AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング液組成物及びエッチング方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is an etchant composition useful for etching indium oxide-based layers, said etchant composition being free from hydrogen chloride but yet causing little width thinning by etching, showing good linearity and being capable of forming a thin wire with a desired width. The etchant composition, which is to be used for etching indium oxide-based layers, comprises: (A) 0.01-15 mass% of hydrogen peroxide; (B) 1-40 mass% of sulfuric acid; (C) 0.01-10 mass% of an amide compound represented by general formula (1) [wherein R1, R2 and R3 represent hydrogen, an alkyl group having 1-8 carbon atoms, etc.]; (D) 0.00001-0.1 mass% of a halide ion source (excluding a fluoride ion source); (E) 0.001-1 mass% of a fluoride ion source; and water.
(FR) L'invention concerne une composition d'agent d'attaque chimique servant à graver des couches à base d'oxyde d'indium, ladite composition d'agent d'attaque chimique est exempte de chlorure d'hydrogène mais provoque cependant un faible amincissement de la largeur au moyen de la gravure. La composition d'agent d'attaque chimique présente une bonne linéarité et peut former un fil mince comportant une largeur souhaitée. La composition d'agent d'attaque chimique, qui doit être utilisée pour graver des couches à base d'oxyde d'indium, comprend : (A) 0,01 à 15 % en masse de peroxyde d'hydrogène ; (B) 1 à 40 % en masse d'acide sulfurique ; (C) 0,01 à 10 % en masse d'un composé amide représenté par la formule générale (1) [R1, R2 et R3 représentent l'hydrogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone, etc.] ; (D) 0,00001 à 0,1 % en masse d'une source d'ions halogénures (hors source d'ions fluorures) ; (E) 0,001 à 1 % en masse d'une source d'ions fluorures ; et de l'eau.
(JA) 塩化水素を含有しなくとも、エッチングによる細り幅が少なく、直線性が良好であるとともに所望の幅を有する細線を形成することが可能な、酸化インジウム系層のエッチングに有用なエッチング液組成物を提供する。酸化インジウム系層をエッチングするためのエッチング液組成物である。(A)過酸化水素0.01~15質量%;(B)硫酸1~40質量%;(C)下記一般式(1)(R1、R2、及びR3:水素、炭素原子数1~8のアルキル基等)で表されるアミド化合物0.01~10質量%;(D)ハロゲン化物イオン供給源(但し、フッ化物イオン供給源を除く)0.00001~0.1質量%;(E)フッ化物イオン供給源0.001~1質量%;及び水を含有する。
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)