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1. (WO2018163575) FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/163575 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/046696
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.12.2017
IPC:
H01L 43/08 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
F
Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften
10
Dünne magnetische Schichten, z.B. mit Einbereichsstruktur
08
gekennzeichnet durch Magnetschichten
10
gekennzeichnet durch die Zusammensetzung
12
aus Metallen oder Legierungen
14
die Eisen oder Nickel enthalten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
F
Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften
10
Dünne magnetische Schichten, z.B. mit Einbereichsstruktur
08
gekennzeichnet durch Magnetschichten
10
gekennzeichnet durch die Zusammensetzung
12
aus Metallen oder Legierungen
16
die Cobalt enthalten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
82
steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
10
Auswahl von Materialien
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
12
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Erfinder:
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
長谷 直基 HASE, Naoki; JP
佐藤 陽 SATO, Yo; JP
Vertreter:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Prioritätsdaten:
2017-04467709.03.2017JP
Titel (EN) FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT DE JONCTION TUNNEL FERROMAGNÉTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] To provide a ferromagnetic tunnel junction element and a method for manufacturing the same with which it is possible to avoid increasing the element occupation area and the number of manufacturing steps, while also avoiding variations in element properties and maintaining a high manufacturing yield. [Solution] Provided is a ferromagnetic tunnel junction element comprising the following: a first magnetic layer; a first insulation layer provided atop the first magnetic layer; a second magnetic layer provided atop the first insulation layer and containing a magnetic transition metal; and a magnesium oxide film provided so as to cover the side surfaces of the second magnetic layer and containing the magnetic transition metal.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un élément de jonction tunnel ferromagnétique et son procédé de fabrication avec lesquels il est possible d'éviter d'augmenter la zone d'occupation d'élément et le nombre d'étapes de fabrication, tout en évitant également des variations de propriétés d'élément et de maintenir un rendement de fabrication élevé. La solution selon l'invention porte sur un élément de jonction tunnel ferromagnétique comprenant les éléments suivants : une première couche magnétique; une première couche d'isolation disposée au-dessus de la première couche magnétique; une seconde couche magnétique disposée au-dessus de la première couche d'isolation et contenant un métal de transition magnétique; et un film d'oxyde de magnésium disposé de façon à recouvrir les surfaces latérales de la seconde couche magnétique et contenant le métal de transition magnétique.
(JA) 【課題】素子の専有面積及び製造工程数の増加を避けつつ、素子の特性変化を避け、且つ、高い製造歩留まりを維持することが可能な強磁性トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】第1の磁性層と、前記第1の磁性層の上に設けられた第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられた、磁性遷移金属を含む第2の磁性層と、前記第2の磁性層の側面を覆うように設けられた、前記磁性遷移金属を含む酸化マグネシウム膜と、を備える、強磁性トンネル接合素子を提供する。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)