Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018162480) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/162480 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/055472
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 06.03.2018
IPC:
H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
60
Reflektierende Bestandteile
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
VON MALM, Norwin; DE
PLÖSSL, Andreas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 886.308.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (100), the method comprising the following steps: A) providing a substrate (1); B) providing a metal liquid (2) that is arranged on the substrate (1) in a structured manner and has at least one first metal (Me1); C) providing semiconductor chips (3), each of which having a metal final layer (4) on the rear surface (31) thereof, wherein the metal final layer contains at least one second metal (Me2) that is different from the first metal (Me1); and D) self-organized arrangement (5) of the semiconductor chips (3) on the metal liquid (2) such that the first metal (Me1) and the second metal (Me2) form at least one intermetallic connection (6), which has a higher re-melting temperature than the melting temperature of the metal liquid (2), wherein the intermetallic connection (6) serves as a connecting layer between the substrate (1) and the semiconductor chips (3).
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique (100) comprenant les étapes suivantes : A) fournir un substrat (1), B) fournir un liquide métallique (2) qui est placée de manière structurée sur le substrat (1) et qui comporte au moins un premier métal (Me1), C) fournir des puces semi-conductrices (3) comportant chacune sur son côté arrière (31) une couche d’extrémité métallique (4), la couche d’extrémité métallique comportant au moins un deuxième métal (Me2) différent du premier métal (Me1), et D) un agencement auto-organisé (5) des puces semi-conductrices (3) sur le liquide métallique (2), de sorte que le premier métal (Me1) et le deuxième métal (Me2) forme au moins un composé intermétallique (6) ayant une température de refusion supérieure à la température de fusion du liquide métallique (2), le composé intermétallique (6) servant de couche de liaison entre le substrat (1) et les puces semi-conductrices (3).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Substrats (1), B) Bereitstellen einer metallischen Flüssigkeit (2), die strukturiert auf dem Substrat (1) angeordnet ist und zumindest ein erstes Metall (Me1) aufweist, C) Bereitstellen von Halbleiterchips (3), die jeweils an ihrer Rückseite (31) eine metallische Abschlussschicht (4) aufweisen, wobei die metallische Abschlussschicht zumindest ein von dem ersten Metall (Me1) verschiedenes, zweites Metall (Me2) aufweist, und D) selbstorganisierte Anordnung (5) der Halbleiterchips (3) auf die metallische Flüssigkeit (2), so dass das erste Metall (Me1) und das zweite Metall (Me2) zumindest eine intermetallische Verbindung (6) ausbilden, die eine höhere WiederaufSchmelztemperatur als die Schmelztemperatur der metallischen Flüssigkeit (2) aufweist, wobei die intermetallische Verbindung (6) als Verbindungsschicht zwischen Substrat (1) und Halbleiterchips (3) dient.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)