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1. (WO2018162464) VERFAHREN ZUM ÜBERTRAGEN VON HALBLEITERKÖRPERN UND HALBLEITERCHIP
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Veröff.-Nr.: WO/2018/162464 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/055448
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 06.03.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
HÖPPEL, Lutz; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 752.207.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR TRANSFERRING SEMICONDUCTOR BODIES AND SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE CORPS SEMI-CONDUCTEURS ET PUCE SEMI-CONDUCTRICE
(DE) VERFAHREN ZUM ÜBERTRAGEN VON HALBLEITERKÖRPERN UND HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for transferring semiconductor bodies (10) in which A) a semiconductor structure (1) is provided on a growth substrate (3), B) a cover layer (2) is mounted on one side of the semiconductor structure (1) facing away from the growth substrate (3), the cover layer (2) being mechanically fixed to the semiconductor structure (1), C) a transfer structure (5) is mounted on one side of the cover layer (2) facing away from the semiconductor structure (1), the transfer structure (5) being mechanically fixed to the cover layer (2) by means of at least one contact structure (25), D) the growth substrate (1) is removed from the semiconductor structure (1), E) the semiconductor structure (1) is divided into a plurality of semiconductor bodies (10), F) a carrier (7) is mounted on one side of the semiconductor body (10) facing away from the transfer structure (5), G) the transfer structure (5) is removed from the semiconductor bodies (10), the mechanical connection between the transfer structure (5) and the cover layer (2) being released in the region of the contact structure (25).
(FR) L'invention concerne un procédé de transfert de corps semi-conducteurs (10), dans lequel A) une structure semi-conductrice (1) est fournie sur un substrat de croissance (3), B) une couche de recouvrement (2) est disposée sur une face opposée au substrat de croissance (3) de la structure semi-conductrice (1), la couche de recouvrement (2) étant reliée de manière solidaire mécaniquement à la structure semi-conductrice (1), C) une structure de transfert (5) est disposée sur une face opposée à la structure semi-conductrice (1) de la couche de recouvrement (2), la structure de transfert (5) étant reliée de manière solidaire mécaniquement à la couche de recouvrement (2) par l'intermédiaire d'au moins une structure de contact (25), D) le substrat de croissance (3) est retiré de la structure semi-conductrice (1), E) la structure semi-conductrice (1) est divisée en une pluralité de corps semi-conducteurs (10), F) un support (7) est disposé sur un côté des corps semi-conducteurs (10) opposé à la structure de transfert (5), G) la structure de transfert (5) est retirée des corps semi-conducteurs (10), la liaison mécanique entre la structure de transfert (5) et la couche de recouvrement (2) dans la zone de la structure de contact (25) étant défaite.
(DE) Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern (10), bei dem A) eine Halbleiterstruktur (1) auf einem Aufwachssubstrat (3) bereitgestellt wird, B) eine Deckschicht (2) auf einer dem Aufwachssubstrat (3) abgewandten Seite der Halbleiterstruktur (1) angeordnet wird, wobei die Deckschicht (2) mit der Halbleiterstruktur (1) mechanisch fest verbunden ist, C) eine Transferstruktur (5) auf einer der Halbleiterstruktur (1) abgewandten Seite der Deckschicht (2) angeordnet wird, wobei die Transferstruktur (5) über zumindest eine Kontaktstruktur (25) mechanisch fest mit der Deckschicht (2) verbunden ist, D) das Aufwachssubstrat (1) von der Halbleiterstruktur (1) entfernt wird, E) die Halbleiterstruktur (1) in eine Vielzahl von Halbleiterkörpern (10) unterteilt wird, F) ein Träger (7) auf einer der Transferstruktur (5) abgewandten Seite der Halbleiterkörper (10) angeordnet wird, G) die Transferstruktur (5) von den Halbleiterkörpern (10) entfernt wird, wobei die mechanische Verbindung zwischen der Transferstruktur (5) und der Deckschicht (2) im Bereich der Kontaktstruktur (25) gelöst wird.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)