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1. (WO2018162412) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/162412 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/055343
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 05.03.2018
IPC:
H01L 33/46 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
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charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
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Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
WEISS, Guido; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 742.507.03.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (100) comprising: a semiconductor layer sequence (1) having an active region (11) which is designed for radiation emission; a dielectric layer (2); and a solder layer (10) comprising a first metal, which is arranged on the dielectric layer (2), wherein a seed layer (4) is arranged between the solder layer (10) and the dielectric layer (2), wherein the seed layer (4) comprises the first metal and a second metal, wherein the second metal is less noble than the first metal, wherein either the amount of the second metal is between 0.5 wt% and 10 wt% in the seed layer (4) or the proportion of first metal to second metal is between 95:5 and 99:1 in the seed layer (4).
(FR) L’invention concerne un composant optoélectronique (100) comprenant une succession de couches semi-conductrices (1) comportant une région active (11) conçue pour émettre un rayonnement, une couche diélectrique (2), une couche de soudure (10) déposée sur la couche diélectrique (2). Une couche de germination (4) est disposée entre la couche de soudure (10) et la couche diélectrique (2). La couche de germination (4) comprend le premier métal et un deuxième métal. Le deuxième métal est moins noble que le premier métal. La proportion du deuxième métal est comprise entre de 0,5% en poids et 10% en poids dans la couche de germination (4) ou le rapport du premier métal au deuxième métal est compris entre 95:5 et 99:1 dans la couche de germination (4).
(DE) Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (11), der zur Strahlungsemission eingerichtet ist, eine dielektrische Schicht (2), eine Lotschicht (10) mit einem ersten Metall, die auf der dielektrischen Schicht (2) angeordnet ist, wobei zwischen der Lotschicht (10) und der dielektrischen Schicht (2) eine Keimschicht (4) angeordnet ist, wobei die Keimschicht (4) das erste Metall und ein zweites Metall aufweist, wobei das zweite Metall unedler als das erste Metall ist,wobei entweder der Anteil des zweiten Metalls zwischen 0,5 wt% und 10 wt% in der Keimschicht (4) ist oder das Verhältnis erstes Metall zu zweitem Metall zwischen 95:5 bis 99:1 in der Keimschicht (4) ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)