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1. (WO2018162409) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND HALBLEITERCHIP

Pub. No.:    WO/2018/162409    International Application No.:    PCT/EP2018/055340
Publication Date: Fri Sep 14 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Mar 06 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/14
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: WANG, Xue
BRÖLL, Markus
NIRSCHL, Anna
Title: STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER UND HALBLEITERCHIP
Abstract:
Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterkörper (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einen n- leitenden Bereich (21) und einen p-leitenden Bereich (22) aufweist,angegeben,wobei -der aktive Bereich zwischen dem n-leitenden Bereich und dem p-leitenden Bereich angeordnet ist; -der p-leitende Bereich eine Stromaufweitungsschicht(3), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, aufweist; und -die Stromaufweitungsschichtmit einem ersten Dotierstoff dotiert ist, der an Phosphor-Gitterplätzen eingebaut ist. Weiterhin wird ein Halbleiterchip mit einem solchen Halbleiterkörper angegeben.