Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018162386) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TECHNISCHEN MASKE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/162386 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/055301
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 05.03.2018
IPC:
B23K 26/402 (2014.01) ,B23K 26/00 (2014.01) ,C23C 14/12 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01)
[IPC code unknown for B23K 26/402]
B Arbeitsverfahren; Transportieren
23
Werkzeugmaschinen; Metallbearbeitung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Löten; Schweißen; Beschichten oder Plattieren durch Löten oder Schweißen; Schneiden durch örtliches Zuführen von Hitze, z.B. Brennschneiden; Arbeiten mit Laserstrahlen
26
Bearbeitung durch Laserstrahlen z.B. Schweißen, Schneiden, Bohren
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
12
Organische Stoffe
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
04
Beschichten ausgewählter Oberflächenbereiche, z.B. unter Verwendung von Masken
Anmelder:
LPKF LASER & ELECTRONICS AG [DE/DE]; Osteriede 7 30827 Garbsen, DE
Erfinder:
OSTHOLT, Roman; DE
AMBROSIUS, Norbert; DE
SCHNOOR, Arne; DE
DUNKER, Daniel; DE
HALE, Kevin; DE
DÖRGE, Moritz; DE
WENKE, Stephan; DE
Vertreter:
SCHEFFLER, Jörg; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 656.906.03.2017DE
10 2017 104 657.706.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A TECHNICAL MASK
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À FABRIQUER UN MASQUE TECHNIQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER TECHNISCHEN MASKE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a technical mask (1) from a flat substrate (2), for example glass, sapphire or silicon. At least one opening of the mask (1) is produced by means of laser-induced deep etching, wherein the substrate (2) is transparent at least for the laser wavelength used during laser-induced deep etching. To this end, the substrate (2) is modified by the pulses of the laser along predefined machining lines (4) for isolating in particular closed contours (3). Local interruptions in the machining lines (4) in the form of connecting webs, known as break-out tabs, ensure that the contours (3) to be isolated are still initially connected to the flat substrate (2) after treatment with the etching solution. In the subsequent step, the flat substrate (2) pretreated in this way is treated with an etching solution, such as hydrofluoric acid (HF) or potassium hydroxide (KOH), as a result of which the non-modified regions of the substrate (2) are etched homogeneously and isotropically. The modified regions react anisotropically in relation to the non-treated regions of the substrate (2) and therefore directed depressions are initially formed at the treated sites until ultimately the material of the substrate (2) is completely dissolved at said sites.
(FR) L'invention concerne un procédé servant à fabriquer un masque (1) technique à partir d'un substrat (2) en forme de plaque, par exemple composé de verre, de saphir ou de silicium. Au moins une ouverture du masque (1) est fabriquée au moyen d'une gravure profonde induite par laser. Le substrat (2) est transparent au moins à la longueur d'ondes laser utilisée lors de la gravure profonde induite par laser. Le substrat (2) est à cet effet modifié pour séparer des contours (3) en particulier fermés par les impulsions du laser le long de lignes d'usinage (4) prédéfinies. Des coupures locales des lignes d'usinage (4) sous la forme d'éléments de liaison, appelées breakout tabs ou pattes de rupture, veillent à ce que les contours (3) à séparer soient reliés, également après le traitement avec la solution d'attaque, dans un premier temps encore au substrat (2) en forme de plaque. Le substrat (2) en forme de plaque ainsi prétraité est traité dans l'étape qui suit avec une solution d'attaque, telle que de l'acide fluorhydrique (HF) ou de l'hydroxyde de potassium (KOH), ce qui permet de soumettre les zones non modifiées du substrat (2) à une gravure homogène et isotrope. Les zones modifiées réagissent par rapport aux zones non traitées du substrat (2) de manière anisotrope si bien que se forment dans un premier temps aux emplacements traités des renfoncements orientés jusqu'à ce que pour finir le matériau du substrat (2) soit totalement dissous sur ledit emplacement.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer technischen Maske (1) aus einem plattenförmigen Substrat (2), beispielsweise aus Glas, Saphir oder Silizium. Zumindest eine Öffnung der Maske (1) wird mittels laserinduzierten Tiefenätzens hergestellt, wobei das Substrat (2) zumindest für die beim laserinduzierten Tiefenätzen eingesetzte Laserwellenlänge transparent ist. Hierzu wird das Substrat (2) zum Trennen von insbesondere geschlossenen Konturen (3) durch die Pulse des Lasers entlang von vordefinierten Bearbeitungslinien (4) modifiziert. Lokale Unterbrechungen der Bearbeitungslinien (4) in Form von Verbindungsstegen, den sogenannten Breakouttabs, gewährleisten, dass die zu trennenden Konturen (3) auch nach der Behandlung mit der Ätzlösung zunächst noch mit dem plattenförmigen Substrat (2) verbunden sind. Das auf diese Weise vorbehandelte plattenförmige Substrat (2) wird im folgenden Schritt mit einer Ätzlösung, wie beispielsweise Flusssäure (HF) oder Kaliumhydroxid (KOH), behandelt, wodurch die nicht modifizierten Bereiche des Substrates (2) homogen und isotrop geätzt werden. Die modifizierten Bereiche reagieren im Verhältnis zu unbehandelten Bereichen des Substrats (2) anisotrop, sodass sich an den behandelten Stellen zunächst gerichtete Vertiefungen ausbilden bis schließlich das Material des Substrats (2) an dieser Stelle vollständig aufgelöst ist.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)