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1. (WO2018162323) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
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Veröff.-Nr.: WO/2018/162323 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/055071
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 01.03.2018
IPC:
H01L 25/16 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
16
wobei die Bauelemente aus Arten bestehen, wie sie in zwei oder mehr der Hauptgruppen H01L27/-H01L51/136
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: ENZMANN, Roland Heinrich; DE
ZINI, Lorenzo; DE
MÜLLER, Christian; DE
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 735.207.03.2017DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip with a support (1) with a first main surface (5) and a second main surface (6) which lies opposite the first main surface (5). The radiation-emitting semiconductor chip additionally comprises an epitaxial semiconductor layer sequence (10) with an active zone (12) which generates electromagnetic radiation during use, wherein the epitaxial semiconductor layer sequence (10) is applied onto the first main surface (5) of the support (1). The radiation-emitting semiconductor chip additionally comprises two electric contacts (13, 14) which are arranged on a front face of the semiconductor chip. The support (1) has an n-doped (2) and a p-doped layer (3) which form a pn junction (4). The support (1) additionally has a vertical region (7) which runs parallel to lateral surfaces of the support (1) starting from the first main surface (5) of the support (1) and is designed to be n-doped, p-doped, or is electrically insulated.
(FR) L'invention concerne une puce semi-conductrice émettant un rayonnement comprenant un support (1) avec une première surface principale (5) et une deuxième surface principale (6) située l'opposé de la première surface principale (5). La puce semi-conductrice émettant un rayonnement comprend en outre une séquence de couches semi-conductrices épitaxiale (10) avec une zone active (12) qui génère un rayonnement électromagnétique durant le fonctionnement, la séquence de couches épitaxiale (10) étant appliquée sur la première surface principale (5) du support. La puce semi-conductrice émettant un rayonnement comprend en outre deux contacts électriques (13, 14) disposés sur la face avant de la puce semi-conductrice. Le support (1) comprend une couche dopée n (2) et une couche dopée p (3), qui forment une jonction p-n (4). Le support (1) comprend en outre, une zone verticale (7), qui s'étend à partir de la première surface principale (5) du support (1) parallèlement aux surfaces latérales du support (1) est qui est réalisée sous forme dopée n, dopée p ou électriquement isolante.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip miteinem Träger(1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer zweiten Hauptfläche (6), die der ersten Hauptfläche (5) gegenüber liegtangegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip umfasst zudem eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge(10) mit einer aktiven Zone(12), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt,wobei die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (10) auf die erste Hauptfläche (5) des Trägers (1) aufgebracht ist. Weiterhin umfasst der strahlungsemittierende Halbleiterchip zwei elektrischen Kontakten(13, 14), die an einer Vorderseite des Halbleiterchips angeordnet sind. Der Träger(1)weist eine n-dotierte(2)und eine p-dotierte Schicht (3) auf, die einen pn-Übergang (4) ausbilden. Außerdem weist der Träger(1) einenvertikalen Bereich(7) auf, der ausgehend von der ersten Hauptfläche (5) des Trägers (1) parallel zu Seitenflächen des Trägers (1) verläuft und der n-dotiert, p-dotiert oder elektrisch isolierend ausgebildet ist.
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)