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1. (WO2018162301) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SEITENEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN UND SEITENEMITTIERENDES BAUELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/162301 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/054941
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.02.2018
IPC:
H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
60
Reflektierende Bestandteile
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
56
Materialien, z.B. Epoxid- oder Silikonharze
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
BRANDL, Martin; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 722.007.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING SIDE-EMITTING COMPONENTS AND SIDE-EMITTING COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS À ÉMISSION PAR LE CÔTÉ ET COMPOSANTS À ÉMISSION PAR LE CÔTÉ
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SEITENEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN UND SEITENEMITTIERENDES BAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) A method for producing side-emitting components (100) is provided, in which method a plurality of semiconductor chips (10) are provided on an auxiliary carrier (90), wherein the semiconductor chips are spaced apart three-dimensionally from one another on the auxiliary carrier and have in each case a side face (13) that is provided with a transparent protective layer (4). The semiconductor chips are covered with a radiation-reflecting moulding compound (50), and so the semiconductor chips are completely covered by the moulding compound when the auxiliary carrier is viewed from above. The moulding compound and the semiconductor chips are singulated to form a plurality of components (100), the components being individually separated at the associated transparent protective layer so as the components each have a radiation outlet area (103) which is formed by a surface of the remaining or exposed transparent protective layer and is freed of the moulding compound. Also provided is a side-emitting component that can be produced by the method described here.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de composants à émission par le côté (100), selon lequel une pluralité de puces en semiconducteur (10) sont disposées sur un support auxiliaire (90), les puces en semiconducteur sur le support auxiliaire étant espacées les unes des autres dans l'espace et possédant respectivement une surface latérale (13) qui est pourvue d'une couche de protection transparente (4). Les puces en semiconducteur sont recouvertes d'une masse de moulage (50) réfléchissant le rayonnement, de sorte que les puces en semiconducteur, vues de dessus sur le support auxiliaire, soient entièrement recouvertes par la masse de moulage. La masse de moulage et les puces en semiconducteur sont séparées en une pluralité de composants (100). Les composants sont séparés au niveau de la couche de protection transparente associée et, de ce fait, les composants possèdent respectivement une surface de sortie de rayonnement (103) qui est formée par une surface de la couche de protection transparente restante ou exposée et qui est dégagée de la masse de moulage. L'invention concerne en outre un composant à émission par le côté qui peut être fabriqué par le procédé ici décrit.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung von seitenemittierenden Bauelementen (100) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterchips (10) aufeinem Hilfsträger (90) bereitgestellt wird, wobei die Halbleiterchips auf dem Hilfsträger voneinander räumlich beabstandet sind und jeweils eine Seitenfläche (13) aufweisen, die mit einer transparenten Schutzschicht (4) versehen ist. Die Halbleiterchips werden mit einer strahlungsreflektierenden Formmasse (50) bedeckt, sodass die Halbleiterchips in Draufsicht auf den Hilfsträger von der Formmasse vollständig bedeckt werden. Die Formmasse und die Halbleiterchips werden zu einer Mehrzahl von Bauelementen (100) vereinzelt, wobei die Bauelemente an der zugehörigen transparenten Schutzschicht vereinzelt werden, wodurch die Bauelemente jeweils eine Strahlungsaustrittsfläche (103) aufweisen, die durch eine Oberfläche der verbleibenden oder freigelegten transparenten Schutzschicht gebildet und von der Formmasse freigelegt ist. Des Weiteren wird ein seitenemittierendes Bauelement angegeben, das durch das hier beschriebene Verfahren herstellbar ist.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)