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1. (WO2018162188) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEMS-EINRICHTUNG FÜR EINEN MIKROMECHANISCHEN DRUCKSENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/162188 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/053556
Veröffentlichungsdatum: 13.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.02.2018
IPC:
B81B 7/00 (2006.01) ,G01L 19/14 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
B
Mikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
7
Mikrostruktursysteme
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
19
Einzelheiten von oder Zubehör für Apparate zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines fließfähigen Mediums insoweit, als solche Einzelheiten oder solches Zubehör nicht besonderen Arten von Druckmessern eigentümlich sind
14
Gehäuse
Anmelder:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Erfinder:
KRAMER, Torsten; DE
FRIEDRICH, Thomas; DE
DANNENBERG, Arne; DE
FRITZ, Joachim; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 203 919.109.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A MEMS DEVICE FOR A MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF MEMS POUR UN CAPTEUR DE PRESSION MICROMÉCANIQUE
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEMS-EINRICHTUNG FÜR EINEN MIKROMECHANISCHEN DRUCKSENSOR
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a MEMS device (100) for a micromechanical pressure sensor (200), having the steps: - providing a MEMS wafer (10) having a silicon substrate (11) and a first cavity (13) formed therein under a sensor membrane (12); - applying a layer-like protective element (20) to the MEMS wafer (10); and - exposing a sensor core (12, 13, 13a) from the rear side, a second cavity (18) being formed between the sensor core (12, 13, 13a) and the surface of the silicon substrate (11), and the second cavity (18) being formed by means of an etching process which is carried out with etching parameters changed in a defined manner; and - removing the layer-like protective element (20).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif MEMS (100) pour un capteur de pression (200) micromécanique comprenant les étapes consistant à : fournir une plaquette MEMS (10) comportant un substrat en silicium (11) et une première cavité (13) formée à l'intérieur de ce substrat sous une membrane de capteur (12) ; appliquer un élément de protection (20) en forme de couche sur la plaquette MEMS (10) ; libérer un noyau de capteur (12, 13, 13a) à partir de la face arrière, une deuxième cavité (18) étant formée entre le noyau de capteur (12, 13, 13a) et la surface du substrat en silicium (11), cette deuxième cavité (18) étant formée au moyen d'un processus d'attaque réalisé avec des paramètres d'attaque modifiés de manière définie ; et retirer l’élément de protection (20) en forme de couche.
(DE) Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Einrichtung (100) für einen mikromechanischen Drucksensor (200), aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines MEMS-Wafers (10) mit einem Siliziumsubstrat (11) und einer darin ausgebildeten ersten Kavität (13) unter einer Sensormembran (12); - Aufbringen eines schichtförmigen Schutzelements (20) auf dem MEMS-Wafer (10); und - Freistellen eines Sensorkerns (12, 13, 13a) von der Rückseite her, wobei eine zweite Kavität (18) zwischen dem Sensorkern (12, 13, 13a) und der Oberfläche des Siliziumsubstrats (11) ausgebildet wird, wobei die zweite Kavität (18) mittels eines Ätzprozesses, der mit definiert geänderten Ätzparametern durchgeführt wird, ausgebildet wird; und - Entfernen des schichtförmigen Schutzelements (20).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)