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1. (WO2018159389) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/159389 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/006013
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 20.02.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
G Physik
02
Optik
F
Vorrichtungen oder Anordnungen, deren optische Arbeitsweise durch Änderung der optischen Eigenschaften des Mediums der Vorrichtungen oder Anordnungen geändert wird zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren oder Demodulieren; Techniken oder Verfahren für deren Arbeitsweise; Frequenzänderung; nichtlineare Optik; optische logische Elemente; optische Analog-Digital-Umsetzer
1
Vorrichtungen oder Anordnungen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen einer unabhängigen Lichtquelle, z.B. Schalten, Austasten oder Modulieren; nichtlineare Optik
01
zum Steuern der Intensität, der Phase, der Polarisation oder der Farbe
13
basierend auf Flüssigkristallen, z.B. einzelne Flüssigkristall-Anzeigezellen
G Physik
02
Optik
F
Vorrichtungen oder Anordnungen, deren optische Arbeitsweise durch Änderung der optischen Eigenschaften des Mediums der Vorrichtungen oder Anordnungen geändert wird zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren oder Demodulieren; Techniken oder Verfahren für deren Arbeitsweise; Frequenzänderung; nichtlineare Optik; optische logische Elemente; optische Analog-Digital-Umsetzer
1
Vorrichtungen oder Anordnungen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen einer unabhängigen Lichtquelle, z.B. Schalten, Austasten oder Modulieren; nichtlineare Optik
01
zum Steuern der Intensität, der Phase, der Polarisation oder der Farbe
13
basierend auf Flüssigkristallen, z.B. einzelne Flüssigkristall-Anzeigezellen
133
Konstruktiver Aufbau; Betrieb von Flüssigkristallzellen; Schaltungsanordnungen
1333
Konstruktiver Aufbau
1343
Elektroden
G Physik
02
Optik
F
Vorrichtungen oder Anordnungen, deren optische Arbeitsweise durch Änderung der optischen Eigenschaften des Mediums der Vorrichtungen oder Anordnungen geändert wird zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren oder Demodulieren; Techniken oder Verfahren für deren Arbeitsweise; Frequenzänderung; nichtlineare Optik; optische logische Elemente; optische Analog-Digital-Umsetzer
1
Vorrichtungen oder Anordnungen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder der Richtung von Lichtstrahlen einer unabhängigen Lichtquelle, z.B. Schalten, Austasten oder Modulieren; nichtlineare Optik
01
zum Steuern der Intensität, der Phase, der Polarisation oder der Farbe
13
basierend auf Flüssigkristallen, z.B. einzelne Flüssigkristall-Anzeigezellen
133
Konstruktiver Aufbau; Betrieb von Flüssigkristallzellen; Schaltungsanordnungen
136
Flüssigkristall-Zellen, baulich vereinigt mit einer Halbleiter-Schicht oder -Substrat, z.B. Zellen als Teil eines integrierten Schaltkreises
1362
Aktive matrizenadressierte Zellen
1368
mit einer Drei-Elektroden-Einrichtung als Schaltelement
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
Q
Antennen
3
Anordnungen zum Wechseln oder Verändern der Richtung oder der Form des Richtdiagramms einer Antenne oder eines Antennensystems
26
Verändern der relativen Phase oder der relativen Amplitude der Speisung zwischen zwei oder mehr aktiven Strahlungselementen; Verändern der Energieverteilung über eine Strahlungsöffnung
30
Verändern der Phase
34
durch elektrische Einrichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
Q
Antennen
3
Anordnungen zum Wechseln oder Verändern der Richtung oder der Form des Richtdiagramms einer Antenne oder eines Antennensystems
44
Verändern der elektrischen oder magnetischen Eigenschaften von reflektierenden, brechenden oder beugenden, einem strahlenden Element zugeordneten Elementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
Q
Antennen
13
Hornstrahler oder Hohlleiterstrahler; Schlitzantennen; geschlitzte Hohlleiter- oder Leckwellenleiter-Antennen; gleichwertige Gebilde, die eine Strahlung entlang des Übertragungsweges einer leitungsgebundenen Welle verursachen
20
Aperiodische Leckwellenleiter- oder Übertragungsleitungsantennen; gleichwertige Gebilde, die eine Strahlung entlang des Ausbreitungsweges einer geführten Welle verursachen
22
Längsschlitz in einer Begrenzungswand eines Wellenleiters oder einer Übertragungsleitung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
Q
Antennen
21
Strahlergruppen oder Antennensysteme
06
Gruppen von einzeln gespeisten Antenneneinheiten, die in gleicher Weise polarisiert und voneinander getrennt sind
Anmelder:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Erfinder:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
Vertreter:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Prioritätsdaten:
2017-03714028.02.2017JP
Titel (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Zusammenfassung:
(EN) A TFT substrate (106) is provided with: a transmission/reception region (R1) that includes a plurality of antenna unit regions (U); and a non-transmission/reception region (R2) that is positioned in a region other than the transmission/reception region. Each of the antenna unit regions has a TFT (10), and a patch electrode (15) that is electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate has a gate metal layer (3) that includes a gate electrode (3G) of the TFT, a gate insulating layer (4), a source metal layer (7) that includes a drain electrode and a source electrode (7S) of the TFT, a first insulating layer (11), a patch metal layer (15l) that includes a patch electrode, a second insulating layer (17), and an upper conductive layer (19). The upper conductive layer includes a patch drain connection part (19a) that is electrically connected to the patch electrode and the drain electrode.
(FR) La présente invention concerne un substrat TFT (106) comprenant : une région d'émission/réception (R1) incluant la pluralité de régions d'unité d'antenne (U) ; et une région de non-émission/réception (R2) positionnée dans une région autre que la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (TFT) (10) et une électrode adhésive (15) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du TFT. Le substrat TFT a une couche de métal de grille (3) qui comprend une électrode de grille (3G) du TFT, une couche d'isolation de grille (4), une couche de métal de source (7) qui comprend une électrode de drain et une électrode de source (7S) du TFT, une première couche d'isolation (11), une couche métallique adhésive (15l) qui comprend une électrode de plaque, une seconde couche d'isolation (17), et une couche conductrice supérieure (19). La couche conductrice supérieure comprend une partie de connexion de drain adhésive (19a) qui est électriquement connectée à l'électrode de plaque et à l'électrode de drain.
(JA) TFT基板(106)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(15)とを有する。TFT基板は、TFTのゲート電極(3G)を含むゲートメタル層(3)と、ゲート絶縁層(4)と、TFTのソース電極(7S)およびドレイン電極を含むソースメタル層(7)と、第1絶縁層(11)と、パッチ電極を含むパッチメタル層(15l)と、第2絶縁層(17)と、上部導電層(19)とを有し、上部導電層は、パッチ電極およびドレイン電極と電気的に接続されたパッチドレイン接続部(19a)を含む。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)