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1. (WO2018159045) MAGNETIC MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND READING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY
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Veröff.-Nr.: WO/2018/159045 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/043299
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 01.12.2017
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 11/16 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
56
mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
02
mit magnetischen Elementen
16
mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht
Anmelder:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Erfinder:
肥後 豊 HIGO, Yutaka; JP
細見 政功 HOSOMI, Masanori; JP
大森 広之 OHMORI, Hiroyuki; JP
別所 和宏 BESSHO, Kazuhiro; JP
内田 裕行 UCHIDA, Hiroyuki; JP
佐藤 陽 SATO, Yo; JP
長谷 直基 HASE, Naoki; JP
Vertreter:
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
Prioritätsdaten:
2017-03908802.03.2017JP
Titel (EN) MAGNETIC MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC INSTRUMENT, AND READING METHOD FOR MAGNETIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE LECTURE POUR MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ、半導体装置、電子機器及び磁気メモリの読み出し方法
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] To provide a magnetic memory for storing multivalue information that can be read while ensuring an adequate read margin. [Solution] A magnetic memory is provided comprising: first and second magnetic storage elements provided between first wiring and second wiring that intersect each other, the first and second magnetic storage elements being electrically connected in series; third wiring that is electrically connected between the first and second magnetic storage elements; a first determination unit that determines the magnetization state of the first magnetic storage element on the basis of the current flowing to the first magnetic storage element through the third wiring; and a second determination unit for determining the magnetization stage of the second magnetic storage element on the basis of the current flowing to the first and second magnetic storage elements through the first wiring, the determination state of the second determination unit being changed on the basis of the determination result of the first determination unit.
(FR) [Problème] Fournir une mémoire magnétique permettant de stocker des informations multivaleurs qui peuvent être lues tout en garantissant une marge de lecture adéquate. La solution selon l'invention porte sur une mémoire magnétique qui comprend : des premier et second éléments de stockage magnétique disposés entre un premier câblage et un second câblage qui se croisent, les premier et second éléments de stockage magnétique étant électriquement reliés en série ; un troisième câblage qui est électriquement relié entre les premier et deuxième éléments de stockage magnétique ; une première unité de détermination qui détermine l'état de magnétisation du premier élément de stockage magnétique sur la base du courant circulant vers le premier élément de stockage magnétique à travers le troisième câblage ; et une seconde unité de détermination pour déterminer l'étape de magnétisation du second élément de stockage magnétique sur la base du courant circulant vers les premier et second éléments de stockage magnétique à travers le premier câblage, l'état de détermination de la seconde unité de détermination étant changé sur la base du résultat de détermination de la première unité de détermination.
(JA) 【課題】多値情報を記憶する磁気メモリであって、読み出しマージンを十分に確保しつつ読み出すことが可能な磁気メモリを提供する。 【解決手段】互いに交差する第1の配線と第2の配線との間に設けられた、電気的に直列に接続された第1及び第2の磁気記憶素子と、前記第1及び第2の磁気記憶素子との間に電気的に接続された第3の配線と、前記第3の配線を通じて前記第1の磁気記憶素子に流れた電流に基づき、前記第1の磁気記憶素子の磁化状態を判別する第1の判別部と、前記第1の配線を通じて前記第1及び第2の磁気記憶素子に流れた電流に基づき、前記第2の磁気記憶素子の磁化状態を判別する第2の判別部と、を備え、前記第1の判別部の判別結果に基づいて、前記第2の判別部の判別状態が変更される、磁気メモリを提供する。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)