Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018158529) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/158529 Internationale Anmeldenummer PCT/FR2018/050446
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.02.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 21/762 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
76
Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen
762
Dielektrische Bereiche
Anmelder:
SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
Erfinder:
SOTTA, David; FR
Vertreter:
BREESE, Pierre; FR
Prioritätsdaten:
175166601.03.2017FR
Titel (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR MAKING OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DONNEUR POUR LA FORMATION DE DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for preparing a crystalline semiconductor layer in order for the layer to be provided with a specific lattice parameter. Said method involves a relaxation procedure which is applied for a first time to a first starting donor substrate (1) in order to obtain a second donor substrate (5). Using the second donor substrate (5) as the starting donor substrate (1), the relaxation procedure is repeated for a number of times that is sufficient for the lattice parameter of the relaxed layer to be provided with the specific lattice parameter. The invention also relates to a set (10) of substrates (5') obtained by said method.
(FR) L'invention porte sur un procédé de préparation d'une couche de semi-conducteur cristallin pour qu'elle présente un paramètre de maille déterminé. Le procédé met en œuvre une séquence de relaxation appliquée une première fois sur un premier substrat donneur de départ (1) pour fournir un second substrat donneur (5). La séquence de relaxation est répétée, en prenant le second substrat donneur (5) comme substrat donneur de départ (1), un nombre suffisant de fois pour que le paramètre de maille de la couche relaxée présente le paramètre de maille déterminé. L'invention porte également sur une collection (10) de substrats (5' ) issus de ce procédé.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Französisch (FR)
Anmeldesprache: Französisch (FR)