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1. (WO2018158379) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN

Pub. No.:    WO/2018/158379    International Application No.:    PCT/EP2018/055068
Publication Date: Sat Sep 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Mar 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/00
H01L 33/44
H01L 33/54
H01L 33/32
H01L 33/48
H01L 33/50
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: PINDL, Markus
JEREBIC, Simon
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILEN
Abstract:
In einer Ausführungsform weist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) die folgenden Schritte auf: A) Aufbringen von Strahlung emittierenden Halbleiterchips (3) auf einen Zwischenträger (2), wobei es sich bei den Halbleiterchips (3) um Volumenemitter handelt; B) Aufbringen eines strahlungsdurchlässigen Klarvergusses (4) direkt auf Chipseitenflächen (34), sodass eine Dicke des Klarvergusses (4) in Richtung weg von den Chipseitenflächen (34) monoton oder streng monoton abnimmt; C) Erzeugen eines Reflexionselements (5) gegenüber den Chipseitenflächen (34), sodass sich das Reflexionselement (5) und der Klarverguss (4) an einer den Chipseitenflächen (34) gegenüberliegenden Außenseite (44) des Klarvergusses (4) berühren; und D) Ablösen der Halbleiterchips (3) von dem Zwischenträger (2) und Anbringen der Halbleiterchips (3) jeweils auf einem Bauteilträger (6), sodass jeweilge Lichtaustrittshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) jeweils dem Bauteilträger (6) abgewandt sind, wobei der Schritt C) nach dem Schritt D) durchgeführt wird.