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1. (WO2018158302) HALBLEITERKÖRPER
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Veröff.-Nr.: WO/2018/158302 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/054906
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 28.02.2018
IPC:
H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 29/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14
mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
32
Stickstoff enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248
gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0256
gekennzeichnet durch das Material
0264
Anorganische Materialien
0304
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
12
mit spannungsabbauender Struktur, z.B. einer Pufferschicht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
02
Halbleiterkörper
12
gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen
20
nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
HERTKORN, Joachim; DE
EICHFELDER, Marcus; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 370.502.03.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERKÖRPER
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor body (10) is specified comprising: – a p-doped region (20), – an active region (30), – an intermediate layer (40), and – a layer stack (41) containing indium, wherein the indium concentration in the layer stack (41) changes along a stacking direction (z), and the layer stack (41), apart from dopants, is formed with exactly one nitride compound semiconductor material, wherein – the intermediate layer (40) is nominally free of indium, is arranged between the layer stack (41) and the active region (30) and directly adjoins the layer stack (41), – the intermediate layer (40) and/or the layer stack (41) are/is n-doped at least in places, – the dopant concentration of the layer stack (41) is at least 5 * 10 17 1/ cm 3 and at most 2 * 10 18 1/cm 3, and – the dopant concentration of the intermediate layer (40) is at least 2 * 10 18 1/ cm 3 and at most 3 * 10 19 1/cm 3.
(FR) L'invention concerne un corps à semi-conducteur (10) comprenant : une zone dopée p (20), une zone active (30), une couche intermédiaire (40) et un empilement de couches (41) contenant de l'indium, la concentration d’indium dans l'empilement de couches (41) variant le long d'une direction d'empilement (z), et l'empilement de couches (41) étant formé avec exactement un matériau semi-conducteur composé nitrure excepté les dopants, la couche intermédiaire (40) étant nominalement exempte d'indium, placée entre l'empilement de couches (41) et la zone active (30) et directement adjacente à l'empilement de couches (41), la couche intermédiaire (40) et/ou l'empilement de couches (41) étant dopés n au moins par endroits, la concentration de dopants de l'empilement de couches (41) étant d'au moins 5 * 10 17 1/ cm 3 et de 2 * 10 18 1/cm 3 maximum, et la concentration de dopants de la couche intermédiaire (40) étant d’au moins 2 * 10 18 1/ cm 3 et de 3 * 10 19 1/cm 3 maximum.
(DE) Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit: - einem p-dotierten Bereich (20), - einem aktiven Bereich (30), - einer Zwischenschicht (40), und - einem Schichtenstapel (41), der Indium enthält, wobei sich die Indium-Konzentration im Schichtenstapel (41) entlang einer Stapelrichtung (z) ändert, und der Schichtenstapel (41) abgesehen von Dotierstoffen mit genau einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei - die Zwischenschicht (40) nominell frei von Indium ist, zwischen dem Schichtenstapel (41) und dem aktiven Bereich (30) angeordnet ist und direkt an den Schichtenstapel (41) angrenzt, - die Zwischenschicht (40) und/oder der Schichtenstapel (41) zumindest stellenweise n-dotiert sind, - die Dotierstoffkonzentration des Schichtenstapels (41) wenigstens 5 * 10 17 1/ cm 3 und höchstens 2 * 10 18 1/cm 3 beträgt, und - die Dotierstoffkonzentration der Zwischenschicht (40) wenigstens 2 * 10 18 1/ cm 3 und höchstens 3 * 10 19 1/cm 3 beträgt.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)