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1. (WO2018158263) VERFAHREN ZUR SELBSTJUSTIERTEN FREILEGUNG VON SEITENFLÄCHEN EINES HALBLEITERKÖRPERS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/158263 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/054834
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 27.02.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/44 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
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mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
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charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
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charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
EBBECKE, Jens; DE
TAEGER, Sebastian; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 104 282.201.03.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR THE SELF-ADJUSTED EXPOSURE OF SIDE SURFACES OF A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) PROCÉDÉ DE DÉGAGEMENT AVEC AUTO-AJUSTEMENT DES SURFACES LATÉRALES D'UN CORPS EN SEMICONDUCTEUR
(DE) VERFAHREN ZUR SELBSTJUSTIERTEN FREILEGUNG VON SEITENFLÄCHEN EINES HALBLEITERKÖRPERS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for exposing side surfaces (31) of a semiconductor body (2), in which method the semiconductor body (2) comprising a first main surface (201) that extends laterally is provided. A plurality of vertical side surfaces (31) is formed by partially ablating material of the semiconductor body (2) and the first main surface (201) being removed thereby in regions, wherein the side surfaces (31) each form an angle (α) of between 110° and 160° inclusive with the remaining first main surface (201). A protective layer (4) is applied to the semiconductor body (2) such that the protective layer (4) as viewed from above completely covers the remaining first main surface (201) and the obliquely formed side surfaces (31). The protective layer (4) is then removed in regions, wherein the protective layer (4), during a joint method step because of the inclination, is removed in regions on the obliquely formed side faces (31) and is preserved in regions on the remaining first main surface (201) at least in part.
(FR) L'invention concerne un procédé de dégagement des surfaces latérales (31) d'un corps en semiconducteur (2), selon lequel le corps en semiconducteur (2) qui possède une première surface principale (201) s'étendant latéralement est fourni. Une pluralité de surfaces latérales verticales (31) sont formées en enlevant partiellement du matériau du corps en semiconducteur (2), et la première surface principale (201) est ainsi retirée dans certaines zones. Les surfaces latérales (31) forment respectivement un angle (α) entre 110° et 160° inclus avec la première surface principale (201) restante. Une couche de protection (4) est appliquée sur le corps en semiconducteur (2), de sorte que la couche de protection (4), vue de dessus, recouvre entièrement la première surface principale (201) restante et les surfaces latérales (31) de configuration inclinée. La couche de protection (4) est ensuite retirée dans certaines zones. La couche de protection (4) est ici retirée au cours d'une étape commune en raison de l'inclinaison dans les zones sur les surfaces latérales (31) de configuration inclinée et elle est au moins partiellement conservées dans les zones sur la première surface principale (201) restante.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Freilegung von Seitenflächen (31) eines Halbleiterkörpers (2) angegeben, bei demder Halbleiterkörper (2) aufweisend eine sich lateral erstreckende erste Hauptfläche (201) bereitgestellt wird. Eine Mehrzahl von vertikalen Seitenflächen (31) wird ausgebildet, indem Material des Halbleiterkörpers (2) teilweise abgetragen wird und die erste Hauptfläche (201) dadurch bereichsweise entfernt wird, wobei die Seitenflächen (31) jeweils mit der verbleibenden ersten Hauptfläche (201) einen Winkel (α)zwischen einschließlich 110° und 160° bilden. Eine Schutzschicht (4) wird auf den Halbleiterkörper (2) aufgebracht, sodass die Schutzschicht (4) in Draufsicht die verbleibende erste Hauptfläche (201) und die schräg ausgebildeten Seitenflächen (31) vollständig bedeckt. Anschließend wird die Schutzschicht (4) bereichsweise entfernt, wobei die Schutzschicht (4) während eines gemeinsamen Verfahrensschritts aufgrund der Neigung in Bereichen auf den schräg ausgebildeten Seitenflächen (31) entfernt wird und in Bereichen auf der verbleibenden ersten Hauptfläche (201) zumindest teilweise erhalten bleibt.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)