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1. (WO2018158037) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG STRUKTURIERTER SCHICHTEN
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Veröff.-Nr.: WO/2018/158037 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/052657
Veröffentlichungsdatum: 07.09.2018 Internationales Anmeldedatum: 02.02.2018
IPC:
B82Y 10/00 (2011.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/308 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen; Messung oder Analyse von Nanostrukturen; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
10
Nanotechnologie für die Datenverarbeitung, Datenspeicherung oder Datenversendung, z.B. Quantencomputertechnik oder Einzelelektronen-Logik [single electron logic]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
B
Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften
1
Leiter oder leitende Körper, die durch den leitenden Werkstoff gekennzeichnet sind; Auswahl von Werkstoffen als Leiter
02
hauptsächlich aus Metallen oder Legierungen bestehend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
033
aus anorganischen Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
308
unter Verwendung von Masken
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
Anmelder:
EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Rellinghauser Straße 1-11 45128 Essen, DE
Erfinder:
MEYER, Sebastian; DE
MERKULOV, Sonja; DE
PFEIFER, Holger; DE
RENNER, Gerhard; DE
Prioritätsdaten:
17158423.828.02.2017EP
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING PATTERNED LAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES STRUCTURÉES
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG STRUKTURIERTER SCHICHTEN
Zusammenfassung:
(EN) The present invention relates to a method for producing a patterned layer comprising the following steps in ascending order: i) providing a substrate, ii) applying a polymeric sacrificial layer to the substrate, iii) applying an inorganic or organic-inorganic masking layer to the sacrificial layer, iv) patterning the masking layer by supplying energy, v) if appropriate etching the sacrificial layer. The present invention furthermore relates to the patterned layer obtainable or obtained by this method. The present invention additionally relates to a method for producing a coated substrate comprising steps i) to v) in ascending order, and to the coated substrate obtainable or obtained by this method. The present invention also relates to the use of the patterned layer as a template for correspondingly patterned deposition of metals.
(FR) Cette invention concerne un procédé pour produire une couche structurée comprenant, dans l'ordre croissant suivant, les étapes consistant : i) à fournir un substrat, ii) à appliquer une couche sacrificielle polymère sur le substrat, iii) à appliquer une couche masquante inorganique ou organo-inorganique sur la couche sacrificielle, iv) à structurer la couche masquante par apport d'énergie, v) à éventuellement attaquer la couche sacrificielle. Cette invention concerne en outre la couche structurée pouvant être ou étant obtenue au moyen de ce procédé. La présente invention concerne en outre un procédé pour produire un substrat ainsi pourvu de couches, comprenant les étapes i) à v) réalisées dans l'ordre croissant, ainsi que le substrat pourvu de couches pouvant être ou étant obtenu au moyen de ce procédé. Cette invention concerne également l'utilisation de la couche structurée en tant que gabarit pour réaliser un dépôt ainsi structuré de métaux.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht umfassend die nachfolgenden Schritte in aufsteigender Reihenfolge: i) Bereitstellen eines Substrats, ii) Aufbringen einer polymeren Opferschicht auf das Substrat, iii) Aufbringen einer anorganischen oder organisch-anorganischen Maskierungsschicht auf die Opferschicht, iv) Strukturierung der Maskierungsschicht durch Energiezufuhr, v) ggf. Ätzen der Opferschicht. Sie betrifft ferner die durch dieses Verfahren erhältliche oder erhaltene strukturierte Schicht. Die vorliegende Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats umfassend die Schritte i) bis v) in austeigender Reihenfolge sowie das durch dieses Verfahren erhältliche oder erhaltene beschichtete Substrat. Die vorliegende Erfindung betrifft auch die Verwendung der strukturierten Schicht als Templat zu entsprechend strukturierten Deposition von Metallen.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)