Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018155034) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/155034 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/001729
Veröffentlichungsdatum: 30.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 22.01.2018
IPC:
C01G 33/00 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
01
Anorganische Chemie
G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F105
33
Verbindungen des Niobs
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
Anmelder:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1,Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
Erfinder:
菊地 直人 KIKUCHI, Naoto; JP
相浦 義弘 AIURA, Yoshihiro; JP
三溝 朱音 SAMIZO, Akane; JP
池田 紳太郎 IKEDA, Shintarou; JP
Vertreter:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Prioritätsdaten:
2017-03211323.02.2017JP
Titel (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化物半導体及び半導体装置
Zusammenfassung:
(EN) Provided are: an oxide semiconductor device capable of providing a p-type semiconductor in an oxide semiconductor and having excellent transparency, mobility, and weather resistance; and a semiconductor device comprising said oxide semiconductor. This oxide semiconductor has a crystal structure including a fordite structure, comprises a composite oxide including elements Nb and Sn , and has positive holes that serve as charge carriers as a result of Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), which is the Sn4+ ratio relative to the total Sn content in the composite oxide, being 0.006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0.013.
(FR) L'invention concerne : un dispositif semi-conducteur d'oxyde capable de fournir un semi-conducteur de type p dans un semi-conducteur d'oxyde et ayant une excellente transparence, une excellente mobilité et une excellente résistance aux intempéries; et un dispositif semi-conducteur comprenant ledit semi-conducteur d'oxyde. Ce semi-conducteur d'oxyde a une structure cristalline comprenant une structure fordite, comprend un oxyde composite comprenant des éléments Nb et Sn, et présente des trous positifs qui servent de porteurs de charge en raison de Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), qui est le rapport de Sn4+ par rapport à la teneur totale en Sn dans l'oxyde composite, étant 0,006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0,013.
(JA) 酸化物半導体においてp型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性等の優れた酸化物半導体及び該酸化物半導体を備える半導体装置を提供する。フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Nb元素とSn元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Sn量に対するSn4+の割合であるSn4+/(Sn2++Sn4+)が0.006≦Sn4+/(Sn2++Sn4+)≦0.013であることにより、正孔が荷電担体となる酸化物半導体を実現する。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)