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1. (WO2018153994) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
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Veröff.-Nr.: WO/2018/153994 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/054400
Veröffentlichungsdatum: 30.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 22.02.2018
IPC:
H01L 33/06 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
04
mit Quanteneffekt- oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang
06
innerhalb des lichtemittierenden Bereichs, z.B. Quantum-Confinement-Struktur oder Tunnelbarriere
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
RUDOLPH, Andreas; DE
BRÖLL, Markus; DE
SCHMID, Wolfgang; DE
BAUR, Johannes; DE
BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 103 856.624.02.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronics semiconductor chip (10), comprising: a p-type semiconductor region (4), an n-type semiconductor region (9), an active layer (6) which is arranged between the p-type semiconductor region (4) and the n-type semiconductor region (9), is formed as a multiple quantum well structure (6A, 6B) and which has alternating quantum well layers (6A) and barrier layers (6B), wherein the quantum well layers (6A) are suitable for the emission of first radiation (21) in a first wavelength range, and at least one further quantum well layer (7A), which is arranged outside the multiple quantum well structure (6A, 6B) and is suitable for the emission of second radiation (22) in a second wavelength range, wherein the first wavelength range lies in the infrared spectral range, which is invisible to the human eye, and the second wavelength range comprises wavelengths which are at least partly visible to the human eye.
(FR) L’invention concerne une puce de semi-conducteur optoélectronique (10) comprenant: - une région semi-conductrice de type p (4), - une région semi-conductrice de type n (9), - une couche active (6) disposée entre la région semi-conductrice de type p (4) et la région semi-conductrice de type n (9), conformée en structure de puits quantiques multiples (6A, 6B) et comportant des couches de puits quantiques alternées (6A) et des couches de barrière (6B), les couches de puits quantiques (6A) étant appropriées pour émettre un premier rayonnement (21) dans une première gamme de longueurs d’onde et - au moins une autre couche de puits quantiques (7A) disposée à l’extérieur de la structure de puits quantiques multiples (22) et appropriée pour émettre un deuxième rayonnement (22) dans une deuxième gamme de longueurs d’onde. La première gamme de longueurs d’onde est dans la gamme spectrale infrarouge invisible pour l’œil humain, et la deuxième gamme de longueurs d’onde comprend des longueurs d’onde qui sont au moins partiellement visibles pour l’œil humain.
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) beschrieben, umfassend: -einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), -einen n-Typ-Halbleiterbereich (9), -eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (9) angeordnete aktive Schicht (6), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) ausgebildet ist und abwechselnde Quantentopfschichten (6A) und Barriereschichten (6B) aufweist, wobei die Quantentopfschichten (6A) zur Emission einer ersten Strahlung (21) in einem ersten Wellenlängenbereich geeignet sind, und -mindestens eine weitere Quantentopfschicht (7A), die außerhalb der Mehrfach-Quantentopfstruktur (6A, 6B) angeordnet ist und zur Emission einer zweiten Strahlung (22) in einem zweiten Wellenlängenbereich geeignet ist, wobei -der erste Wellenlängenbereich im für das menschliche Auge unsichtbaren infraroten Spektralbereich liegt, und -der zweite Wellenlängenbereich Wellenlängen umfasst, die zumindest zum Teil für das menschliche Auge sichtbar sind.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)