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1. (WO2018153590) HALBLEITERMODUL MIT KÜHLKÖRPER
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Veröff.-Nr.: WO/2018/153590 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051508
Veröffentlichungsdatum: 30.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 23.01.2018
IPC:
H01L 21/48 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
48
Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326219
Anmelder:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Erfinder:
SEIBICKE, Frank; DE
Prioritätsdaten:
17158155.627.02.2017EP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING A HEAT SINK
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN DISSIPATEUR THERMIQUE
(DE) HALBLEITERMODUL MIT KÜHLKÖRPER
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2). In order to improve heat transfer between the semiconductor module (1) and the heat sink (2), the heat sink (2) is applied to a substrate (11) of the semiconductor module (1) using an additive manufacturing process, the heat sink (2) being formed by applying a material containing metal. The invention further relates to a semiconductor module (1) comprising a heat sink (2) that is disposed on the substrate (11) of the semiconductor module (1) using the aforementioned kind of method.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2). Selon l'invention, pour améliorer le transfert de chaleur entre le module semi-conducteur (1) et le dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) est appliqué par un procédé de fabrication additive sur une plaque de base (11) du module semi-conducteur (1), le dissipateur thermique (2) étant formé par application d'un matériau présentant du métal. L'invention concerne en outre un module semi-conducteur (1) pourvu d'un dissipateur thermique (2), le dissipateur thermique (2) étant disposé par un tel procédé sur la plaque de base (11) du module semi-conducteur (1).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls (1) mit einem Kühlkörper (2). Zur Verbesserung des Wärmeübergangs zwischen Halbleitermodul (1) und Kühlkörper (2) wird vorgeschlagen, dass der Kühlkörper (2) mittels eines additiven Fertigungsverfahrens auf eine Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) aufgetragen wird, wobei der Kühlkörper (2) durch Auftragen eines Materials gebildet wird, das Metall aufweist. Weiter betrifft die Erfindung ein Halbleitermodul (1) mit einem Kühlkörper (2), wobei der Kühlkörper (2) mittels eines solchen Verfahrens an der Bodenplatte (11) des Halbleitermoduls (1) angeordnet ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)