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1. (WO2018150945) SILICON SUBSTRATE INTERMEDIATE POLISHING COMPOSITION AND SILICON SUBSTRATE POLISHING COMPOSITION SET
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Veröff.-Nr.: WO/2018/150945 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/003971
Veröffentlichungsdatum: 23.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 06.02.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
B Arbeitsverfahren; Transportieren
24
Schleifen; Polieren
B
Maschinen, Einrichtungen oder Verfahren zum Schleifen oder Polieren; Ab- oder Herrichten der Arbeitsflächen von Schleifwerkzeugen; Zuführen von Schleif-, Polier- oder Läppmitteln
37
Maschinen oder Einrichtungen zum Läppen; Zubehör hierfür
C Chemie; Hüttenwesen
09
Farbstoffe; Anstrichstoffe; Polituren; Naturharze; Klebstoffe; Zusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Anwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Materialien für Anwendungen, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Verwendung von Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Materialien, soweit nicht anderweitig vorgesehen
14
Gleitschutzmittel; Schleifmittel
Anmelder:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
Erfinder:
土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke; JP
浅田 真希 ASADA, Maki; JP
百田 怜史 MOMOTA, Satoshi; JP
Vertreter:
安部 誠 ABE, Makoto; JP
Prioritätsdaten:
2017-02915320.02.2017JP
Titel (EN) SILICON SUBSTRATE INTERMEDIATE POLISHING COMPOSITION AND SILICON SUBSTRATE POLISHING COMPOSITION SET
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE INTERMÉDIAIRE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET ENSEMBLE DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a polishing composition which is used in a step upstream of a final polishing step for a silicon substrate, and which makes it possible to obtain a high-quality surface effectively after the final polishing step. According to the present invention, there is provided an intermediate polishing composition which is used in an intermediate polishing step of a silicon substrate polishing process comprising the intermediate polishing step and the final polishing step. The intermediate polishing composition includes abrasive grains A1, a basic compound B1, and a surface protection agent S1. The surface protection agent S1 includes a water-soluble polymer P1 having a weight-average molecular weight of more than 30 × 104 and a dispersant D1, wherein a dispersive parameter α1 is less than 80%.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage qui est utilisée dans une étape en amont d'une étape de polissage final pour un substrat de silicium, et qui permet d'obtenir une surface de haute qualité efficacement après l'étape de polissage final. Selon la présente invention, il est prévu une composition de polissage intermédiaire qui est utilisée dans une étape de polissage intermédiaire d'un processus de polissage de substrat de silicium comprenant l'étape de polissage intermédiaire et l'étape de polissage final. La composition de polissage intermédiaire comprend des grains abrasifs A1, un composé basique B1, et un agent de protection de surface S1. L'agent de protection de surface S1 comprend un polymère hydrosoluble P1 ayant un poids moléculaire moyen en poids de plus de 30 × 104et un dispersant D1, un paramètre dispersif α1 étant inférieur à 80 %.
(JA) シリコン基板の仕上げ研磨工程より上流の工程で用いられて、仕上げ研磨工程後において高品位の表面を効果的に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明によると、中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて上記中間研磨工程に用いられる中間研磨用組成物が提供される。上記中間研磨用組成物は、砥粒Aと、塩基性化合物Bと、表面保護剤Sとを含む。上記表面保護剤Sは、重量平均分子量が30×10より高い水溶性高分子Pを含み、さらに、分散剤Dを含み、かつ分散性パラメータαが80%未満である。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)