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1. (WO2018149798) VERFAHREN UND ANLAGE ZUM ZIEHEN EINES EINKRISTALLS NACH DEM FZ-VERFAHREN
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Veröff.-Nr.: WO/2018/149798 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/053481
Veröffentlichungsdatum: 23.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.02.2018
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 26.06.2018
IPC:
C30B 13/20 (2006.01) ,C30B 13/30 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
13
Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen
16
Erhitzen der Schmelzzone
20
durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
13
Erzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen
28
Steuern oder Regeln
30
Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29
Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
02
Elemente
06
Silicium
Anmelder:
SILTRONIC AG [DE/DE]; Hanns-Seidel-Platz 4 81737 München, DE
Erfinder:
SCHRÖCK, Thomas; DE
Vertreter:
STAUDACHER, Wolfgang; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 202 420.815.02.2017DE
Titel (EN) METHOD AND SYSTEM FOR PULLING A MONOCRYSTAL IN ACCORDANCE WITH THE FZ METHOD
(FR) PROCÉDÉ ET INSTALLATION DE TIRAGE D’UN MONOCRISTAL SELON LE PROCÉDÉ DE LA ZONE FLOTTANTE
(DE) VERFAHREN UND ANLAGE ZUM ZIEHEN EINES EINKRISTALLS NACH DEM FZ-VERFAHREN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for pulling a monocrystal in accordance with the FZ method, in which method a polycrystal is melted by means of an electromagnetic melting device and then is recrystallized, wherein in a first phase (P1) a lower end of the polycrystal, the polycrystal being moved toward the melting device, is melted by means of the melting device, a drop thus being formed, wherein in a second phase (P2) a monocrystalline seed is attached to the lower end of the polycrystal and is melted beginning from an upper end of the seed, wherein during the first phase (P1) and during the second phase (P2) the power (P) of the melting device is specified, at least at times, in accordance with a temperature and/or geometric dimensions of crystal material used, which crystal material comprises the drop (120) and/or the seed (140) and/or the polycrystal (100). The invention further relates to a corresponding system.
(FR) L’invention concerne un procédé et une installation de tirage d’un monocristal selon le procédé de la zone flottante (FZ: floating zone) au cours duquel un polycristal est fondu à l’aide d’un dispositif de fusion électromagnétique puis recristallisé. Dans une première étape (P1), une extrémité inférieure de polycristal mue en direction du dispositif de fusion est fondue de telle manière qu’une goutte se forme ; dans une deuxième étape (P2), un germe monocristallin est fixé à l’extrémité inférieure du polycristal et fondu à partir d’une extrémité supérieure du germe. Pendant la première étape (P1) et pendant la deuxième étape (P2), la puissance (P) du dispositif de fusion est définie au moins temporairement en fonction de la température et/ou des dimensions géométriques du matériau cristallin mis en œuvre, qui comprend la goutte (120) et/ou le germe (140) et/ou le polycristal (100). L’invention concerne également un dispositif correspondant.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls nach dem FZ- Verfahren, bei dem ein Polykristall mittels einer elektromagnetischen Schmelzvorrichtung aufgeschmolzen und anschließend wieder auskristallisiert wird, wobei in einer ersten Phase (P1) ein unteres Ende des Polykristalls, der auf die Schmelzvorrichtung zubewegt wird, mittels der Schmelzvorrichtung unter Bildung eines Tropfens aufgeschmolzen wird, wobei in einer zweiten Phase (P2) ein einkristalliner Impfling an das untere Ende des Polykristalls angebracht und beginnend von einem oberen Ende des Impflings an aufgeschmolzen wird, wobei eine Leistung (P) der Schmelzvorrichtung während der ersten Phase (P1) und während der zweiten Phase (P2) wenigstens zeitweise in Abhängigkeit von einer Temperatur und/oder geometrischen Abmessungen verwendeten Kristallmaterials, das den Tropfen (120) und/oder den Impfling (140) und/oder den Polykristall (100) umfasst, vorgegeben wird, sowie eine entsprechende Anlage.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)