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1. (WO2018147008) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/147008 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/001012
Veröffentlichungsdatum: 16.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 16.01.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
304
Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden
Anmelder:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 1-1, Tenjinkita-machi, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Erfinder:
樋口 鮎美 HIGUCHI, Ayumi; JP
岩▲崎▼ 晃久 IWASAKI, Akihisa; JP
Vertreter:
特許業務法人あい特許事務所 AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS; 大阪府大阪市中央区南本町二丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Prioritätsdaten:
2017-02215309.02.2017JP
Titel (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
Zusammenfassung:
(EN) A substrate processing method comprising: a substrate holding step of horizontally holding a substrate having an upper surface on which a metal film is exposed; a substrate rotating step of rotating the substrate about a rotating axis along a vertical direction; a liquid film forming step of forming, by supplying a degassed processing liquid onto the upper surface of the substrate, a liquid film of the processing liquid on the substrate; and a film thickness adjusting step of adjusting a thickness of the liquid film so that the thickness of the liquid film becomes 100 μm or more.
(FR) Un procédé de traitement de substrat comprend : une étape de maintien de substrat consistant à maintenir horizontalement un substrat ayant une surface supérieure sur laquelle un film métallique est exposé ; une étape de rotation de substrat consistant à faire tourner le substrat autour d'un axe de rotation le long d'une direction verticale ; une étape de formation de film liquide consistant à former, en fournissant un liquide de traitement dégazé sur la surface supérieure du substrat, un film liquide du liquide de traitement sur le substrat ; et une étape de réglage d'épaisseur de film consistant à régler une épaisseur du film liquide de sorte que l'épaisseur du film liquide devienne supérieure ou égale à 100 µm.
(JA) 基板処理方法は、金属膜が露出した上面を有する基板を水平に保持する基板保持工程と、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに前記基板を回転させる基板回転工程と、脱気された処理液を前記基板の上面に供給することによって、前記基板上に前記処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜の厚さが100μm以上となるように前記液膜の厚さを調整する膜厚調整工程とを含む。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)