Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018145699) VERFAHREN ZUM TEXTURIEREN EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERMATERIALS SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/145699 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2018/100110
Veröffentlichungsdatum: 16.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 08.02.2018
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01) ,C25F 3/12 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0236
besondere Oberflächen-Texturen
C Chemie; Hüttenwesen
25
Elektrolytische oder elektrophoretische Verfahren; Vorrichtungen dafür
F
Verfahren für das Elektrolytische Abtragen von Material; Vorrichtungen dafür
3
Elektrolytisches Ätzen oder Polieren
02
Ätzen
12
von Halbleitern
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
Anmelder:
RENA TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Höhenweg 1 78148 Gütenbach, DE
Erfinder:
KÜHNLEIN, Holger; DE
DÜMPELFELD, Wolfgang; DE
BURSCHIK, John; DE
STRAUB, Benedikt; DE
Vertreter:
HEYERHOFF GEIGER & PARTNER PATENTANWÄLTE PARTGMBB; Heiligenbreite 52 88662 Überlingen, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 102 632.009.02.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR TEXTURING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE TEXTURER UNE SURFACE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR AINSI QUE DISPOSITIF PERMETTANT LA MISE EN ŒUVRE DUDIT PROCÉDÉ
(DE) VERFAHREN ZUM TEXTURIEREN EINER OBERFLÄCHE EINES HALBLEITERMATERIALS SOWIE VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG DES VERFAHRENS
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is a method for texturing at least one portion (4) of a surface of a semiconductor material (2), according to which the at least one portion (4) of the surface is brought into contact with an etching solution (6); the at least one portion (4) of the surface is electrically conductively connected to a plus pole (9) of a current source (8) and is used as a positive electrode (16); a negative electrode (14) located in the etching solution (6) is electrically conductively connected to a minus pole (10) of the current source (18) and electric current is carried from the plus pole (9) to the minus pole (10) and the at least one portion (4) of the surface is thus electrochemically etched. Also disclosed is a device (1; 30; 70) for carrying out said method.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de texturer au moins une partie (4) d'une surface d'un matériau semi-conducteur (2), selon lequel la ou les parties (4) de la surface sont mises en contact avec une solution d'attaque (6), la ou les parties (4) de la surface sont connectées de manière électroconductrice à un pôle positif (9) d'une source de courant (8) et utilisées en tant qu'électrode positive (16), une électrode négative (14) agencée dans la solution d'attaque (6) est connectée de manière électroconductrice à un pôle négatif (10) de la source de courant (18), et guide un courant électrique du pôle positif (9) vers le pôle négatif (10), de sorte que la ou les parties (4) de la surface sont soumises à une attaque électrochimique. L'invention concerne également un dispositif (1; 30; 70) permettant la mise en œuvre du procédé.
(DE) Verfahren zum Texturieren wenigstens eines Teils (4) einer Oberfläche eines Halbleitermaterials (2), bei welchem der wenigstens eine Teil (4) der Oberfläche mit einer Ätzlösung (6) in Kontakt gebracht wird; der wenigstens eine Teil (4) der Oberfläche elektrisch leitend mit einem Pluspol (9) einer Stromquelle (8) verbunden und als positive Elektrode (16) verwendet wird; eine in der Ätzlösung (6) angeordnete negative Elektrode (14) elektrisch leitend mit einem Minuspol (10) der Stromquelle (18) verbunden wird und elektrischer Strom von dem Pluspol (9) zu dem Minuspol (10) geführt und auf diese Weise der wenigstens eine Teil (4) der Oberfläche elektrochemisch geätzt wird, sowie Vorrichtung (1; 30; 70) zur Durchführung des Verfahrens.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)