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1. (WO2018141509) LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTUNG
Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

Patentansprüche

1. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) mit

- zwei Gleichspannungsanschlüssen (102a, 102b),

- wenigstens einer Halbbrücke, die zwischen die Gleichspannungsanschlüsse (102a, 102b) geschaltet ist, wobei die Halbbrücke zwei seriell geschaltete Schalteinheiten (104a, 104b, 301a, 301b, 302a, 302b) umfasst, wobei jede Schalteinheit einen Leistungshalbleiterschalter (104a, 104b, 301a, 301b, 302a, 302b) oder mehrere parallel geschaltete Leistungshalbleiterschalter (104a, 104b, 401a, 401b, 402a, 402b) umfasst,

- einem Wechselspannungsanschluss (106) für jede der Halbbrücken,

- einer Gate-Treiberschaltung (105a, 105b, 303a, 303b, 304a, 304b) für jede der Schalteinheiten,

- einem Kommutierungskondensator (103, 203a, 203b) parallel zur Halbbrücke,

- einer Modulsteuerung (107),

- einer Messeinrichtung (113) zur Bestimmung des Stroms zum Wechselspannungsanschluss,

wobei die Halbbrücke, der Kommutierungskondensator (103, 203a, 203b) und die Gate-Treiberschaltung (105a, 105b, 303a, 303b, 304a, 304b) auf einem gemeinsamen homogenen Schaltungsträger (101) angeordnet sind.

2. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach Anspruch 1 mit genau einer Halbbrücke.

3. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach An-spruch 1 mit genau zwei parallel geschalteten Halbbrücken.

4. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach Anspruch 1 mit genau drei Halbbrücken.

5. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der der Kommutierungskondensator (103, 203a, 203b) eine Kapazität von höchstens 10 yF aufweist.

6. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Einrichtung (108) zur Messung der Spannung des Kommutierungskondensators (103, 203a, 203b) .

7. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Einrichtung (109) zur Messung der Temperatur.

8. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der der Kommutierungskondensator (103, 203a, 203b) und die Halbbrücke oder Halbbrücken als Kommutierungszelle aufgebaut sind.

9. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Induktivität (110) zwischen dem Mittelpunkt jeder Halbbrücke und dem Wechsels-pannungsanschluss (106).

10. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einem zweiten Wechsels-pannungsanschluss (112).

11. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach Anspruch 10 mit einem Filterkondensator (111) zwischen dem Wechselspannungsanschluss (106) und dem zweiten Wechselspan-nungsanschluss (112).

12. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Leistungshalbleiterschalter durch IGBTs oder MOSFETs gebildet sind.

13. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Leistungshalbleiterschalter (104a, 104b, 301a, 301b, 302a, 302b) durch Wi-de-Bandgap-Halbleiterschalter, insbesondere GaN-Schalter, gebildet sind.

14. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Modulsteuerung (107) so ausgestaltet ist, dass sie eine Pulsweitenmodulation der Halbbrücke mit einer von außen über eine Schnittstelle an die Modulsteuerung (107) vorgebbaren Schaltfrequenz, Phase und/oder Ausgangsfrequenz durchführen kann.

15. Leistungshalbleiterschaltung (100, 200, 300, 400) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Modulsteuerung (107) ein serielles Interface (107a, 107b) zur Kommunikation aufweist .