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1. (WO2018141509) LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/141509 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/050390
Veröffentlichungsdatum: 09.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 09.01.2018
IPC:
H02M 7/537 (2006.01) ,H02M 7/00 (2006.01) ,H01L 29/00 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7
Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
42
Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom ohne Umkehrmöglichkeit
44
durch ruhende Umformer
48
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen
53
unter Verwendung von Vorrichtungen von der Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
537
unter ausschließlicher Verwendung von Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7
Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
51
gekennzeichnet durch die verwendeten spezifischen Bauelemente
56
mit Halbleiterbauelementen als aktive Bauelemente
567
Schaltungen, die durch die Verwendung von mehr als einem Halbleiterbauelementetyp gekennzeichnet sind, z.B. BIMOS, zusammengesetzte Bauelemente wie IGBT's
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
51
gekennzeichnet durch die verwendeten spezifischen Bauelemente
56
mit Halbleiterbauelementen als aktive Bauelemente
687
mit Feldeffekttransistoren
Anmelder:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Erfinder:
DONAT, Albrecht; DE
HEINEMANN, Gerhard; DE
IBACH, Frank; DE
IMRICH, Franz; DE
JUNGWIRTH, Thomas; DE
LORZ, Roland; DE
NAMYSLO, Lutz; DE
WEIDAUER, Jens; DE
Prioritätsdaten:
17154499.203.02.2017EP
Titel (EN) POWER SEMICONDUCTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(DE) LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a power semiconductor circuit, comprising: two direct-voltage connection points; at least one half-bridge, which is connected between the direct-voltage connection points, the half-bridge comprising two switching units connected in series, each switching unit comprising one power semiconductor switch or a plurality of power semiconductor switches connected in parallel; an alternating-voltage connection point for each of the half-bridges; a gate driver circuit for each of the switching units; a commutation capacitor in parallel with the half-bridge; a module controller; a measuring device for determining the current to the alternating-voltage connection point; the half-bridge, the commutation capacitor and the gate driver circuit being mounted on a common printed circuit board.
(FR) L'invention concerne un circuit de puissance à semi-conducteurs comprenant - deux bornes de tension continue, - au moins un demi-pont qui est monté entre les bornes de tension continue, le demi-pont comportant deux unités de circuit montées en série, chaque unité de circuit comportant un interrupteur de puissance à semi-conducteurs ou plusieurs interrupteurs de puissance à semi-conducteurs montés en parallèle, - une borne de tension alternative pour chaque demi-pont, - un circuit d’attaque de grille pour chaque unité de circuit, - un condensateur de commutation parallèle au demi-pont, - une commande de module, - un dispositif de mesure destiné à la détermination du courant circulant vers la borne de tension continue, le demi-pont, le condensateur de commutation et le circuit d’attaque de grille étant construits sur une carte de circuit imprimé commune.
(DE) Leistungshalbleiterschaltung mit - zwei Gleichspannungsanschlüssen, - wenigstens einer Halbbrücke, die zwischen die Gleichspannungsanschlüsse geschaltet ist, wobei die Halbbrücke zwei seriell geschaltete Schalteinheiten umfasst, wobei jede Schalteinheit einen Leistungshalbleiterschalter oder mehrere parallel geschaltete Leistungshalbleiterschalter umfasst, - einem Wechselspannungsanschluss für jede der Halbbrücken, - einer Gate-Treiberschaltung für jede der Schalteinheiten, - einem Kommutierungskondensator parallel zur Halbbrücke, - einer Modulsteuerung, - einer Messeinrichtung zur Bestimmung des Stroms zum Wechselspannungsanschluss, wobei die Halbbrücke, der Kommutierungskondensator und die Gate-Treiberschaltung auf einer gemeinsamen Leiterplatte aufgebaut sind.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)