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1. (WO2018139427) POLYMER FILM LAMINATED SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/139427 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/001901
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 23.01.2018
IPC:
B32B 7/06 (2006.01) ,B32B 9/00 (2006.01) ,B32B 27/00 (2006.01) ,B32B 27/34 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
32
Schichtkörper
B
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
7
Schichtkörper, gekennzeichnet durch die gegenseitige Zuordnung von Schichten, d.h. Erzeugnisse, die hauptsächlich aus Schichten mit verschiedenen physikalischen Eigenschaften bestehen oder Erzeugnisse, die durch die gegenseitige Verbindung der Schichten gekennzeichnet sind
04
gekennzeichnet durch die Verbindung der Schichten
06
leichtes Trennen zulassend
B Arbeitsverfahren; Transportieren
32
Schichtkörper
B
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
9
Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil einen Werkstoff enthalten, der nicht von den Gruppen B32B11/-B32B29/149
B Arbeitsverfahren; Transportieren
32
Schichtkörper
B
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
27
Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil Kunstharz enthalten
B Arbeitsverfahren; Transportieren
32
Schichtkörper
B
Schichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zell- oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
27
Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil Kunstharz enthalten
34
enthaltend Polyamide
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
12
Montagesockel, z.B. nicht lösbare isolierende Substrate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
12
wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
Anmelder:
東洋紡株式会社 TOYOBO CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市北区堂島浜二丁目2番8号 2-8, Dojima Hama 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308230, JP
Erfinder:
奥山 哲雄 OKUYAMA Tetsuo; JP
渡辺 直樹 WATANABE Naoki; JP
土屋 俊之 TSUCHIYA Toshiyuki; JP
山下 全広 YAMASHITA Yoshihiro; JP
▲徳▼田 桂也 TOKUDA Kaya; JP
Prioritätsdaten:
2017-01099125.01.2017JP
2017-01099225.01.2017JP
2017-01099325.01.2017JP
Titel (EN) POLYMER FILM LAMINATED SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE
(FR) SUBSTRAT STRATIFIÉ DE FILM POLYMÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE FLEXIBLE
(JA) 高分子フィルム積層基板およびフレキシブル電子デバイスの製造方法
Zusammenfassung:
(EN) [Problem] To provide a polyimide film laminated substrate wherein a polyimide film is able to be stably separated from an inorganic substrate by means of a small and constant force even after a heat treatment that is performed at a temperature more than 500°C. [Solution] According to the present invention, an inorganic substrate wherein a thin film of aluminum oxide, a thin film of a composite oxide of aluminum and silicon, or an alloy thin film of molybdenum and/or tungsten is continuously or discontinuously formed on at least a part of one surface of the inorganic substrate is subjected to a silane coupling agent treatment; and a polyimide film layer is subsequently laminated on a silane coupling agent layer. With respect to the thus-obtained laminate, a portion where the aluminum oxide thin film layer is present serves as an easily releasable layer, and a portion where the aluminum oxide thin film layer is absent serves as a reliably bonded part; and the bonding strength of the easily releasable part does not change and is stably maintained at a low value even after a heat treatment at 500°C or higher.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un substrat stratifié de film de polyimide dans lequel un film de polyimide peut être séparé de manière stable d'un substrat inorganique au moyen d'une force faible et constante même après un traitement thermique qui est réalisé à une température supérieure à 500 °C. La solution selon la présente invention porte sur un substrat inorganique dans lequel un film mince d'oxyde d'aluminium, un film mince d'un oxyde composite d'aluminium et de silicium ou un film mince d'alliage de molybdène et/ou de tungstène est formé en continu ou de manière discontinue sur au moins une partie d'une surface du substrat inorganique est soumis à un traitement d'agent de couplage au silane ; et une couche de film de polyimide est ensuite stratifiée sur une couche d'agent de couplage au silane. Par rapport au stratifié ainsi obtenu, une partie où la couche de film mince d'oxyde d'aluminium est présente sert de couche facilement libérable et une partie où la couche de film mince d'oxyde d'aluminium est absente sert de partie liée de manière fiable ; et la force de liaison de la partie facilement libérable ne change pas et est maintenue de manière stable à une valeur faible même après un traitement thermique à 500 °C ou plus.
(JA) 【課題】 ポリイミドフィルムを無機基板から剥離する際に、500℃を越える温度での熱処理を行った後でも、安定し、低く、かつ一定の力にて剥離することが可能となるポリイミドフィルム積層基板を提供する。 【解決手段】 無機基板の少なくとも片面の一部にアルミニウム酸化物の薄膜、あるいはアルミニウムとシリコンの複合酸化物の薄膜、あるいはモリブデンないしタングステン、またはモリブデンとタングステンの合金薄膜が連続又は不連続に形成された無機基板に、シランカップリング剤処理を行い、さらにシランカップリング剤層の上にポリイミドフィルム層を積層する。得られた積層体の、アルミニウム酸化物薄膜層がある部分が易剥離層、無い部分が良好接着部として機能し、500℃以上の熱処理を経た後でも易剥離部の接着強度が変化せず、低い値を安定して維持する。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)