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1. (WO2018138993) TEMPERATURE SENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138993 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/039172
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 30.10.2017
IPC:
G01K 7/16 (2006.01) ,G01K 7/22 (2006.01) ,H01C 7/04 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
K
Messen der Temperatur; Messen von Wärmemengen; Temperaturfühler, soweit nicht anderweitig vorgesehen
7
Temperaturmessungen, die auf der Anwendung elektrischer oder magnetischer, unmittelbar auf Wärme ansprechender Elemente beruhen
16
mit Widerstandselementen
G Physik
01
Messen; Prüfen
K
Messen der Temperatur; Messen von Wärmemengen; Temperaturfühler, soweit nicht anderweitig vorgesehen
7
Temperaturmessungen, die auf der Anwendung elektrischer oder magnetischer, unmittelbar auf Wärme ansprechender Elemente beruhen
16
mit Widerstandselementen
22
das Element ist ein nichtlinearer Widerstand, z.B. Thermistor
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
7
Nichteinstellbare Widerstände bestehend aus einer oder mehreren Schichten oder Überzügen; nichteinstellbare Widerstände hergestellt aus pulverförmigem leitenden Werkstoff oder pulverförmigem halbleitenden Werkstoff mit oder ohne Isoliermaterial
04
mit negativem Temperaturkoeffizienten
Anmelder:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
Erfinder:
日置 泰典 HIOKI, Yasunori; JP
関谷 毅 SEKITANI, Tsuyoshi; JP
植村 隆文 UEMURA, Takafumi; JP
尾上 智章 ONOUE, Tomoaki; JP
Vertreter:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
吉田 環 YOSHIDA, Tamaki; JP
Prioritätsdaten:
2017-01417830.01.2017JP
Titel (EN) TEMPERATURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度センサ
Zusammenfassung:
(EN) A temperature sensor comprising a thermistor that has organic-inorganic complex load characteristics, and a transistor, wherein: the thermistor having organic-inorganic complex load characteristics includes a thermistor layer including an organic polymer component and a powder of a spinel semiconductor ceramic composition containing Mn, Ni, and Fe, and a pair of electrode layers; in the powder of a semiconductor ceramic composition, the molar ratio of Mn and Ni is 85/15 ≥ Mn/Ni ≥ 65/35, and the Fe content is 30 mol parts or less, where the total molar amount of Mn and Ni is 100 mol parts; the powder of a semiconductor ceramic composition has a peak having a maximum value near 29-31° in an X-ray diffraction pattern; the half-width of the peak is 0.15 or greater; and the transistor is connected to one of the electrode layers of the thermistor having organic-inorganic complex load characteristics.
(FR) La présente invention concerne un capteur de température comprenant une thermistance qui présente des caractéristiques de charge de complexe organique-inorganique, et un transistor. La thermistance présente des caractéristiques de charge de complexe organique-inorganique comprend une couche de thermistance comprenant un constituant polymère organique et une poudre d'une composition de céramique semi-conductrice spinelle contenant du Mn, du Ni, et du Fe, et une paire de couches d'électrode ; dans la poudre d'une composition de céramique semi-conductrice, le rapport molaire du Mn et du Ni est de 85/15 ≥ Mn/Ni ≥ 65/35, et la teneur en Fe est inférieure ou égale à 30 parties en moles, la quantité molaire totale du Mn et du Ni est de 100 parties en moles ; la poudre d'une composition de céramique semi-conductrice présente un pic ayant une valeur maximale proche de 29-31° dans un diagramme de diffraction des rayons X ; la demi-largeur du pic est supérieure ou égale à 0,15 ; et le transistor est connecté à l'une des couches d'électrode de la thermistance présentant des caractéristiques de charge de complexe organique-inorganique.
(JA) 有機無機複合負特性サーミスタと、トランジスタとを備える温度センサであって、有機無機複合負特性サーミスタは、Mn、NiおよびFeを含むスピネル型半導体磁器組成物の粉末と、有機高分子成分とを含むサーミスタ層と、1対の電極層とを含み、半導体磁器組成物の粉末において、MnとNiとのモル比率が85/15≧Mn/Ni≧65/35であり、かつMnおよびNiの総モル量を100モル部としたとき、Feの含有量が30モル部以下であり、半導体磁器組成物の粉末は、X線回折パターンの29°~31°付近に極大値を有するピークを有し、ピークの半値幅は0.15以上であり、トランジスタは、有機無機複合負特性サーミスタの電極層のいずれか一方と接続される、温度センサ。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)