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1. (WO2018138275) METALL-ISOLATOR-GRAPHEN DIODE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138275 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051976
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.01.2018
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
45
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
AMO GMBH [DE/DE]; Otto-Blumenthal-Straße 25 52074 Aachen NRW, DE
Erfinder:
WANG, Zhenxing; DE
NEUMAIER, Daniel; DE
RIBEIRO, Mário, Alberto, Oliveira; PT
Vertreter:
PATENTANWÄLTE BAUER VORBERG KAYSER PARTGMBB; Goltsteinstraße 87 50968 Köln, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 101 575.226.01.2017DE
Titel (EN) METAL-INSULATOR-GRAPHENE DIODE
(FR) DIODE MÉTAL-ISOLANT-GRAPHÈNE
(DE) METALL-ISOLATOR-GRAPHEN DIODE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a metal-insulator-graphene diode, comprising a metal electrode (34) having an electrode surface, comprising an insulator layer (28), which is in planar contact with the electrode surface via a first main surface (30), and a graphene layer (22), which has a contact surface (26). Said contact surface (26) is in linear contact with a second main surface (30, 32) of the insulator layer (28) located opposite the metal electrode (34). The graphene layer (22) has at least one two-dimensional monolayer. The surface plane of the graphene layer (22) runs transversely to the main surfaces (30, 32).
(FR) L'invention concerne une diode métal-isolant-graphène, composée d'une électrode métallique (34) qui présente une surface d'électrode, d'une couche d'isolant (28) qui est en contact à plat par une première surface principale (30) avec la surface d'électrode, et d'une couche de graphène (22) qui présente une surface de contact (26). Cette surface de contact (26) est en contact linéaire avec une seconde surface principale (30, 32) de la couche d'isolant (28) opposée à l'électrode métallique (34). La couche de graphène (22) présente au moins une monocouche bidimensionnelle. Le plan plat de la couche de graphène (22) s'étend transversalement aux surfaces principales (30, 32).
(DE) Die Metall- Isolator-Graphen Diode besteht aus einer Metallelektrode (34), die eine Elektrodenfläche hat, einer Isolatorschicht (28), die mit einer ersten Hauptfläche (30) in flächigem Kontakt mit der Elektrodenfläche ist, und einer Graphenschicht (22), die eine Kontaktfläche (26) hat. Diese Kontaktfläche (26) ist in linienhaftem Kontakt mit einer zweiten, der Metallelektrode (34) gegenüber liegenden Hauptfläche (30, 32) der Isolatorschicht (28). Die Graphenschicht (22) weist mindestens eine zweidimensionale Monoschicht auf. Die Flächenebene der Graphenschicht (22) verläuft quer zu den Hauptflächen (30, 32).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)