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1. (WO2018138213) STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138213 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051867
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 25.01.2018
IPC:
H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
42
transparente Materialien
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
46
Reflektierende Beschichtungen, z.B. dielektrische Bragg-Reflektoren
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
GÖÖTZ, Britta; DE
VON MALM, Norwin; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 101 729.130.01.2017DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting device, comprising a semiconductor layer sequence (10) having an active layer (20) that emits a primary radiation during operation. The device also comprises a decoupling surface (11) on a surface of the semiconductor layer sequence (10), a wavelength conversion layer (30) on the side of the semiconductor layer sequence (10) facing away from the decoupling surface (11), and containing at least one conversion material converting the primary radiation into secondary radiation, and a mirror layer (40) on the side of the wavelength conversion layer (30) facing away from the semiconductor layer sequence (10). The at least one conversion material is electrically conductive and/or embedded in an electrically conductive matrix material.
(FR) L'invention concerne un dispositif émetteur de rayonnement qui comprend une succession de couches semi-conductrices (10) pourvue d'une couche active (20) qui émet un rayonnement primaire lorsque le dispositif est en fonctionnement. Le dispositif comprend en outre une face de sortie (11) sur une surface de la succession de couches semi-conductrices (10), une couche de conversion de longueur d'onde (30) sur le côté de la succession de couches semi-conductrices (10) qui est opposé à la face de sortie (11), laquelle couche contient au moins une substance de conversion qui convertit le rayonnement primaire en un rayonnement secondaire, et une couche miroir (40) sur le côté de la couche de conversion de longueur d'onde (30) qui est opposé à la succession de couches semi-conductrices (10). Ladite au moins une substance de conversion est électroconductrice et/ou incorporée dans un matériau de matrice électroconducteur.
(DE) Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht (20), die im Betrieb eine Primärstrahlung emittiert, umfasst. Die Vorrichtung umfasst weiterhin eine Auskoppelfläche (11) auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (10), eine Wellenlängenkonversionsschicht (30) auf der von der Auskoppelfläche (11) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (10), die zumindest einen die Primärstrahlung in Sekundärstrahlung umwandelnden Konversionsstoff enthält, und eine Spiegelschicht (40) auf der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der Wellenlängenkonversionsschicht (30). Der zumindest eine Konversionsstoff ist elektrisch leitfähig und/oder in einem elektrisch leitfähigen Matrixmaterial eingebettet.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)