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1. (WO2018138175) NIEDERSPANNUNGS-SCHUTZSCHALTGERÄT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138175 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051766
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 25.01.2018
IPC:
H01H 9/54 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
H
Elektrische Schalter; Relais; Wählschalter; Schutzvorrichtungen [Sicherungen] für Not- oder Störungsfälle
9
Einzelheiten von Schaltern, soweit nicht von H01H1/-H01H7/96
54
Schaltungsanordnungen, die nicht für eine besondere Anwendung der Schaltvorrichtung ausgebildet und die anderweitig nicht aufgeführt sind
Anmelder:
EATON INTELLIGENT POWER LIMITED [IE/IE]; Eaton House, 30 Pembroke Road Dublin, 4, IE
Erfinder:
ASKAN, Kenan; AT
Vertreter:
EATON IP GROUP EMEA; c/o Eaton Industries Manufacturing GmbH Route de la Longeraie 7 1110 Morges, CH
Prioritätsdaten:
10 2017 101 452.725.01.2017DE
Titel (EN) LOW-VOLTAGE CIRCUIT BREAKER DEVICE
(FR) DISJONCTEUR BASSE TENSION
(DE) NIEDERSPANNUNGS-SCHUTZSCHALTGERÄT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a low-voltage circuit breaker device (1) having at least one phase conductor section (2) and one neutral conductor section (5). A mechanical bypass switch (8) is located in the phase conductor section (2). A first semiconductor circuit assembly (11) is connected in parallel with the bypass switch (8). The first semiconductor circuit assembly (11) has at least one power semiconductor device (21) with a control connection. A current-measuring assembly (12) is located in the phase conductor section (2) and is connected to an electronic control unit (13) of the circuit breaker device (1). The electronic control unit (13) is designed to actuate the bypass switch (8) and the first semiconductor circuit assembly (11) when a predefinable overcurrent through the current-measuring assembly (12) is detected. According to the invention, the low-voltage circuit breaker device (1) has at least one voltage-measuring assembly (80) for detecting a Miller-effect-induced voltage peak at the at least one power semiconductor device (21) of the first semiconductor circuit assembly (11).
(FR) L’invention concerne un disjoncteur basse tension (1) comprenant au moins une ligne de conducteur extérieur (2) et une ligne de conducteur neutre (5), un commutateur de dérivation (8) mécanique étant disposé dans la ligne de conducteur extérieur (2), un premier ensemble circuit à semi-conducteurs (11) étant monté en parallèle avec le commutateur de dérivation (8), ce premier ensemble circuit à semi-conducteurs (11) comprenant au moins un semi-conducteur de puissance (21) doté d’une gâchette, un dispositif de mesure de courant (12) relié à une unité de commande électronique (13) du disjoncteur basse tension (1) étant disposé dans la ligne de conducteur extérieur (2), l’unité de commande électronique (13) étant conçue pour commander le commutateur de dérivation (8) et le premier ensemble circuit à semi-conducteurs (11) lors de la détection d’une surintensité pouvant être prédéfinie par l’intermédiaire du dispositif de mesure de courant (12). Selon l’invention, le disjoncteur basse tension (1) comprend au moins un deuxième dispositif de mesure de courant (80) permettant la détection d'une pointe de tension due à l’effet Miller au niveau dudit au moins un semi-conducteur de puissance (21) du premier ensemble circuit à semi-conducteurs (11).
(DE) Bei einem Niederspannungs-Schutzschaltgerät (1) mit mindestens einer Außenleiterstrecke (2) und einer Neutralleiterstrecke (5), wobei in der Außenleiterstrecke (2) ein mechanischer Bypassschalter (8) angeordnet ist, wobei eine erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) parallel zum Bypassschalter (8) geschaltet ist, wobei die erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) wenigstens einen Leistungshalbleiter (21) mit einem Steueranschluss aufweist, wobei in der Außenleiterstrecke (2) eine Strommessanordnung (12) angeordnet ist, welche mit einer elektronischen Steuereinheit (13) des Schutzschaltgeräts (1) verbunden ist, wobei die elektronische Steuereinheit (13) dazu ausgebildet ist, den Bypassschalter (8) und die erste Halbleiterschaltungsanordnung (11) bei Detektion eines vorgebbaren Überstromes durch die Strommessanordnung (12) anzusteuern, wird vorgeschlagen, dass das Niederspannungs-Schutzschaltgerät (1) wenigstens eine Spannungsmessungsanordnung (80) zur Detektion einer millereffektbedingten Spannungsspitze an dem wenigstens einen Leistungshalbleiter (21) der ersten Halbleiterschaltungsanordnung (11) aufweist.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
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