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1. (WO2018138162) VERFAHREN ZUM SELEKTIEREN VON HALBLEITERCHIPS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138162 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051747
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 24.01.2018
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
66
Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683
zum Aufnehmen oder Greifen
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
RICHTER, Daniel; DE
PETERSEN, Gunnar; DE
WAGNER, Konrad; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 101 536.126.01.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR SELECTING SEMICONDUCTOR CHIPS
(FR) PROCÉDÉ DE SÉLECTION DE PUCES SEMI-CONDUCTRICES
(DE) VERFAHREN ZUM SELEKTIEREN VON HALBLEITERCHIPS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for selecting semiconductor chips (100), wherein A) the semiconductor chips (100) are provided in a composite (10), B) a firmly bonded, mechanical first connection is produced between the semiconductor chips (100) and a carrier film (500), C) the semiconductor chips (100) are separated, wherein the carrier film (500) mechanically connects the semiconductor chips (100) to each other after separating, D) the first connection between some separated semiconductor chips (100) and the carrier film (500) is selectively weakened, E) the semiconductor chips (100) of which the first connection is selectively weakened are removed from the carrier film (500).
(FR) L’invention concerne un procédé de sélection de puces semi-conductrices (100) selon lequel A) les puces semi-conductrices (100) sont fournies en un ensemble (10), B) une première liaison mécanique est produite entre les puces semi-conductrices (100) et un film de support (500) par liaison de matière, C) les puces semi-conductrices (100) sont séparées, le film de support (500) liant mécaniquement les puces semi-conductrices (100) les unes aux autres après la séparation, D) la première liaison entre plusieurs puces semi-conductrices individuelles (100) et le film de support (500) est affaiblie sélectivement, E) les puces semi-conductrices (100) dont la première liaison est affaiblie sélectivement sont retirées du film de support (500).
(DE) Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips (100), bei dem A) die Halbleiterchips (100) in einem Verbund (10) bereitgestellt werden, B) eine Stoffschlüssige, mechanische erste Verbindung zwischen den Halbleiterchips (100) und einer Trägerfolie (500) erzeugt wird, C) die Halbleiterchips (100) vereinzelt werden, wobei die Trägerfolie (500) die Halbleiterchips (100) nach dem Vereinzeln mechanisch miteinander verbindet, D) die erste Verbindung zwischen manchen vereinzelten Halbleiterchips (100) und der Trägerfolie (500) selektiv geschwächt wird, E) die Halbleiterchips (100), deren erste Verbindung selektiv geschwächt ist, von der Trägerfolie (500) entfernt werden.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)