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1. (WO2018138081) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
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Veröff.-Nr.: WO/2018/138081 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/051572
Veröffentlichungsdatum: 02.08.2018 Internationales Anmeldedatum: 23.01.2018
IPC:
H01L 33/30 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
WANG, Xue; DE
BROELL, Markus; DE
Vertreter:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175, EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 101 637.627.01.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) The invention describes an optoelectronic semiconductor chip (20) comprising a semiconductor layer sequence (10) having a phosphide compound semiconductor material, wherein the semiconductor layer sequence (10) contains a p-type semiconductor region (4), an n-type semiconductor region (2), and an active layer (3) arranged between the p-type semiconductor region (4) and the n-type semiconductor region (2). The optoelectronic semiconductor chip also comprises a current-spreading layer (8), which adjoins the p-type semiconductor region (4) and has a transparent conductive oxide, and a metallic p-connection layer (12), which adjoins the current-spreading layer (8) at least in some regions. The p-type semiconductor region (4) has a p-contact layer (7) that adjoins the current-spreading layer (8). The p-contact layer (7) has GaP doped with C, wherein the C dopant concentration is at least 5 * 1019 cm-3, and wherein the p-contact layer (7) is less than 100 nm thick.
(FR) L’invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (20), comprenant un empilement (10) de couches semi-conductrices qui comporte un matériau semi-conducteur à composé de phosphure, l’empilement (10) de couches semi-conductrices contenant une zone semi-conductrice de type p (4), une zone semi-conductrice de type n (2), et une couche active (3) agencée entre la zone semi-conductrice de type p (4) et la zone semi-conductrice de type n (2). La puce semi-conductrice optoélectronique comprend en outre une couche d’étalement de courant (8) adjacente à la zone semi-conductrice de type p (4) qui comporte un oxyde conducteur transparent, et une couche de connexion (12) métallique de type p qui est adjacente au moins par endroits à la couche d’étalement de courant (8). La zone semi-conductrice de type p (4) comporte une couche de contact (7) de type p qui est adjacente à la couche d’étalement de courant (8). La couche de contact (7) de type p comporte du GaP dopé au C, la concentration en carbone dopant étant égale à au moins 5 * 1019 cm−3, et la couche de contact (7) de type p présentant une épaisseur d’au moins 100 nm.
(DE) Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (20) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4) einen n-Typ Halbleiterbereich (2), und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ Halbleiterbereich (2) angeordnete aktive Schicht (3) enthält. Weiterhin umfass der optoelektronische Halbleiterchip eine an den p-Typ Halbleiterbereich (4) angrenzende Stromaufweitungsschicht (8), die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist, und eine metallische p- Anschlussschicht (12), die zumindest bereichsweise an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Der p-Typ Halbleiterbereich (4) weist eine p-Kontaktschicht (7) auf, die an die Stromaufweitungsschicht (8) angrenzt. Die p- Kontaktschicht (7) weist mit C dotiertes GaP auf, wobei die C-Dotierstoffkonzentration mindestens 5 * 1019 cm-3 beträgt, und wobei die p-Kontaktschicht (7) weniger als 100 nm dick ist.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)